[实用新型]一种新型晶片旋干治具有效
| 申请号: | 202120091185.7 | 申请日: | 2021-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN215266215U | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
| 发明(设计)人: | 何庆波;蔡雪良;李汉生;陆义;潘涛 | 申请(专利权)人: | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215316 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 晶片 旋干治具 | ||
本实用新型提供一种新型晶片旋干治具,本治具包括一底板、一竖板及两扩展板。底板上设置扩展槽、限位槽及排水孔,并将底板与竖版焊接,连接形成一体。竖板用于清洗篮放置朝向防呆,固定需旋干清洗篮的一侧位置。两扩展板可根据需旋干清洗篮的尺寸插入该治具底板上对应清洗篮尺寸的扩展槽中,再将需旋干清洗篮的底脚放置于该治具底板的限位槽中,可限定需旋干清洗篮的活动范围,固定清洗篮的位置,提高旋干过程的稳定性。在清洗篮旋干的过程中,底板及扩展板上的排水孔可用来排出清洗篮中晶片表面的水分,加快清洗篮中晶片的旋干速度。本治具具有多尺寸兼容及放置朝向防呆的功能,防止晶片表面污染,从而提高产品的良率。
技术领域
本实用新型与晶片清洗后旋干制程工艺有关;具体设计一种新型晶片旋干治具。
背景技术
半导体晶片经过不同工序加工后,其表面已受到严重的沾污,清洗的目的是在于清除晶片表面微粒、金属离子及有机物沾污。一般采取以下几种清洗方式:使用强氧化剂氧化晶片表面,金属离子溶解在清洗液中或吸附在晶片表面;用无害的小直径的正离子来替代吸附在晶片表面的金属离子,使之溶解于清洗液中;用大量去离子水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。当晶片完成清洗制程后,需对进行旋干制程,达到获得洁净表面的目的。
旋干制程对于晶片特别是半导体晶片的表面清洁状况很关键,会直接影响晶片表面外观良率。一般晶片进行旋干制程时,采取直接将清洗篮放置于旋干支架中。因后端抛光工序有物理去除的作用,一般将晶片抛光面放置于清洗篮H面。旋干作业时依赖作业人员通过肉眼观察,将清洗篮按规定朝向放置到旋干支架中,确保晶片非抛光面不与清洗篮内壁接触。但实际作业过程中,容易发生清洗篮放置朝向错误的状况,这可能会导致晶片非抛光面出现表面污染而报废,从而影响产品的良率。同时,目前一般使用多套治具来转换不同尺寸的旋干操作,治具不能在各尺寸间通用。
实用新型内容
为了改善上述情况,本实用新型的目的在于提供一种新型晶片旋干治具,可应用于晶片清洗后旋干制程,具有多尺寸兼容及放置朝向防呆的功能。避免放置朝向错误引起的晶片表面污染,有效限定清洗篮活动范围,提高旋干过程的稳定性。
本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:
一种新型晶片旋干治具,用于晶片清洗后旋干制程,所述治具包括:有一底板,底板上设置扩展槽、限位槽及排水孔;有一竖板,竖板与底板通过焊接后,连接起来;有两扩展板,扩展板上设置排水孔,扩展板可插入底板上不同位置的扩展槽中,以匹配不同尺寸晶片清洗篮。
本实用新型所采用的技术方案:该治具有一底板,底板上设置扩展槽、限位槽及排水孔。
本实用新型所采用的技术方案:该治具的底板上设置多个与清洗篮尺寸相匹配的扩展槽,扩展槽与扩展板连接,从而提高治具的兼容性。
本实用新型所采用的技术方案:该治具的底板上设置限位槽,限位槽用于放置清洗篮的底脚,与扩展板一起用于限定清洗篮的活动范围。
本实用新型所采用的技术方案:该治具的底板及扩展板上设置排水孔,排水孔在旋干制程时有利于晶片表面水分及时排出。
本实用新型所采用的技术方案:该治具有一竖板,将竖板与底板焊接起来,当清洗篮H 面朝竖板放置时,竖板顶部与H面不接触,可顺利放入;当清洗篮U面朝竖板放入时,竖板顶部与U面底部接触,无法稳定放入旋干支架中。
本实用新型所采用的技术方案:该治具具有两扩展板,扩展板可插入底板上不同位置的扩展槽中,以匹配不同尺寸晶片的清洗篮。
基于上述,本实用新型的优点与特点是使用本治具,可以有效改善可能出现的污染不良,具有晶片篮放置朝向防呆及兼容多尺寸的功能,避免放置朝向错误引起的晶片表面污染,限定清洗篮活动范围,提高清洗篮旋干过程的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的平面结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





