[实用新型]一种三栅SiC横向MOSFET功率器件有效
| 申请号： | 202120074536.3 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN214505499U | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 施广彦;李昀佶 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 横向 mosfet 功率 器件 | ||
1.一种三栅SiC横向MOSFET功率器件，其特征在于：包括
一SiC衬底，所述SiC衬底上设有一衬底凹槽；
一SiC外延层，所述SiC外延层内设有一外延凹槽；所述SiC外延层设于所述衬底凹槽内；
一P型阱区，所述P型阱区内设有介质槽，所述介质槽内设有沟道区；所述P型阱区设于所述外延凹槽内；
一栅极，所述栅极包括两个第一侧栅以及一顶栅，所述顶栅两端部分别连接至所述栅极的一端部的侧面，形成倒U型结构，所述顶栅和第一侧栅除顶部以及连接处外均被高k介质包围，所述倒U型结构设于所述介质槽内，且突出于所述介质槽；
一漏极，所述漏极设于所述介质槽内，且设于所述U型结构一侧；
以及，一源极，所述源极设于所述介质槽内，且设于所述U型结构另一侧。
2.如权利要求1所述的一种三栅SiC横向MOSFET功率器件，其特征在于：所述栅极还包括至少一个第二侧栅，所述第二侧栅均匀间隔设于两个所述侧栅内，且所述第二侧栅一端部连接至所述顶栅，所述第二侧栅处于顶栅连接处外均被高K介质包裹。
3.如权利要求2所述的一种三栅SiC横向MOSFET功率器件，其特征在于：所述第一侧栅与第二侧栅的厚度以及宽度相等。
4.如权利要求1所述的一种三栅SiC横向MOSFET功率器件，其特征在于：所述介质槽纵向深度小于P型阱区深度。
5.如权利要求1所述的一种三栅SiC横向MOSFET功率器件，其特征在于：所述第一侧栅纵向深度大于等于介质槽深度。
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