[实用新型]挠性半导体封装构造有效

专利信息
申请号: 202120060945.8 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN214254395U 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 李东昇;庞规浩;魏兆璟;郭晋村;李佩萤 申请(专利权)人: 颀邦科技股份有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张琳
地址: 中国台湾新竹科学*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 构造
【权利要求书】:

1.一种挠性半导体封装构造,其特征在于,包含:

挠性基板,具有电路层;

芯片,设置于该挠性基板,且该芯片与该电路层电性连接,该芯片并显露出显露表面;以及

散热贴片,设置于该芯片的该显露表面,该散热贴片包含载体、散热层及粘着层,该散热层位于该载体与该粘着层之间,该粘着层以第一粘着面贴附于该芯片的该显露表面,使该散热层及该芯片之间形成容胶空间,该容胶空间并环绕该粘着层。

2.根据权利要求1所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该粘着层投影至该显露表面,并在该显露表面形成第一投影区域,该第一投影区域的区域面积小于该显露表面的表面积,且该第一投影区域位于该显露表面中,该粘着层以第二粘着面贴附于该散热层的表面,该粘着层投影至该散热层的该表面,并在该表面形成第二投影区域,该第二投影区域的区域面积小于该表面的表面积,且该第二投影区域位于该表面中。

3.根据权利要求2所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该芯片的该显露表面具有第一边缘,该散热层的该表面具有第二边缘,该第一投影区域具有第三边缘,该第一边缘、该第二边缘、该第三边缘定义出该容胶空间。

4.根据权利要求2所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该散热层的该表面具有第二边缘,该第一投影区域具有第三边缘,该第二投影区域具有第四边缘,该第二边缘、该第三边缘、该第四边缘定义出该容胶空间。

5.根据权利要求2所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该显露表面具有第一边缘,该散热层的该表面具有第二边缘,该第一投影区域具有第三边缘,该第二投影区域具有第四边缘,该第一边缘、该第二边缘、该第三边缘、该第四边缘定义出该容胶空间。

6.根据权利要求3所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该第二投影区域具有第四边缘,该第二边缘与该第四边缘之间具有间距,该间距不小于20微米。

7.根据权利要求3所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该第一边缘与该第三边缘之间具有间距,该间距不小于20微米。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该载体投影至该显露表面,并在该显露表面形成第三投影区域,该第三投影区域具有第五边缘,该第五边缘位于该显露表面的该第一边缘与该第一投影区域的第三边缘之间。

9.根据权利要求8所述的挠性半导体封装构造,其特征在于,该第五边缘与该显露表面的该第一边缘重叠。

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