[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.三维存储器的制备方法，包括：

在衬底上形成堆叠结构；

在所述堆叠结构中形成朝向所述衬底方向延伸并沿第一方向设置的多个顶部选择栅切口组，至少一个所述顶部选择栅切口组包括沿第二方向设置的多个顶部选择栅切口，相邻的顶部选择栅切口之间具有间隔区域，所述第一方向和所述第二方向垂直于所述堆叠结构的堆叠方向并彼此相交；

在所述间隔区域内，形成朝向所述衬底方向延伸的初始虚设沟道孔；以及

经由所述初始虚设沟道孔，形成朝向所述衬底方向延伸的虚设沟道孔。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述初始虚设沟道孔与所述顶部选择栅切口具有预定的间隔距离。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述虚设沟道孔与所述顶部选择栅切口交叠。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，在所述第一方向上，所述虚设沟道孔与所述顶部选择栅切口交叠150nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，形成朝向所述衬底方向延伸的初始虚设沟道孔的步骤包括：

形成填充所述顶部选择栅切口并覆盖所述堆叠结构的硬掩膜层；

在所述硬掩模层中形成初始虚设沟道孔图案；以及

经由所述初始虚设沟道孔图案，形成所述初始虚设沟道孔。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述制备方法还包括：

去除所述硬掩膜层；以及

形成填充所述虚设沟道孔和所述顶部选择栅切口并覆盖所述堆叠结构的电介质材料层。

7.三维存储器的制备方法，包括：

在衬底上形成堆叠结构；

在所述堆叠结构中形成朝向所述衬底方向延伸并沿第一方向设置的多个顶部选择栅切口，至少一个所述顶部选择栅切口包括沿第二方向设置的多个第一切口以及位于相邻的所述第一切口之间的多个第二切口，所述第一方向和所述第二方向垂直于所述堆叠结构的堆叠方向并彼此相交；以及

在与所述第二切口对应的区域内，形成朝向所述衬底方向延伸的虚设沟道孔。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，形成朝向所述衬底方向延伸的虚设沟道孔的步骤包括：

在与所述第二切口对应的区域内，形成朝向所述衬底方向延伸的初始虚设沟道孔；以及

经由所述初始虚设沟道孔，形成朝向所述衬底方向延伸的虚设沟道孔。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，形成朝向所述衬底方向延伸的初始虚设沟道孔的步骤包括：

形成填充所述顶部选择栅切口并覆盖所述堆叠结构的硬掩膜层；

在所述硬掩模层中形成初始虚设沟道孔图案；以及

经由所述初始虚设沟道孔图案，形成所述初始虚设沟道孔。

10.根据权利要求9所述的制备方法，所述制备方法还包括：

去除所述硬掩膜层；以及

形成填充所述虚设沟道孔和所述顶部选择栅切口并覆盖所述堆叠结构的电介质材料层。

11.三维存储器，包括：

半导体层；

堆叠结构；

多个顶部选择栅切口结构，穿过所述堆叠结构并朝向所述半导体层方向延伸且沿第一方向设置，每个顶部选择栅切口结构包括：沿第二方向设置的多个第一切口结构和位于相邻的所述第一切口结构之间的多个第二切口结构，所述第一方向和所述第二方向垂直于所述堆叠结构的堆叠方向并彼此相交；以及

虚设沟道结构，形成于所述第二切口结构对应的区域内，并朝向所述半导体层方向延伸。

12.根据权利要求11所述的三维存储器，其中，在垂直于所述堆叠方向的平面上，所述第二切口结构截面面积大于所述虚设沟道结构的截面面积。