[发明专利]NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备

说明书

本发明提供了一种NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备，该方法包括：读取NAND芯片中写入块的数据时，获取所述写入块写入的字线数；根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压；根据所述优选读电压对所述写入块进行读取。本发明在读取NAND芯片中写入块Open Block的数据时，根据Open Block写入的字线数来自动优化该Open Block的读电压，用优化后的优选读电压去读取该Open Block，从而减小Open Block的失效位数，提高NAND芯片的读取效率。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备。

背景技术

NAND Flash作为现如今主流的存储媒介，具有读写速度快，存储容量高以及功耗体积小重量轻等优点。NAND中存储单元以存储电荷量的多少来表征不同的存储态，NAND数据的读取是通过读电压来判别。以单位存储 (SLC：Single-Level Cell)为例，当存储单元的存储态低于读电压时，读电压施加在存储单元的栅极存储单元处于导通状态，则该存储单元记录的数据为“1”；相反当存储单元的存储态高于读电压时，读电压施加在存储单元的栅极存储单元处于关闭状态，则该存储单元记录的数据为“0”。NAND存储单元单位存储有两个储存态分别是擦除态E和编程态P；而单位存储用一个读电压R1施加于存储单元的栅极来判断存储单元的存储态是擦除态E还是编程态P。当存储单元读取的存储态和初始写入存储态不一致时，则该存储态被称为失效位。

NAND Flash以块(block)为擦除单位，页(page)为读写单位，NAND 在数据写入前会对写入的块做擦除动作，使该块的所有存储单元全部处于擦除态E，然后以页为基本操作单元，块为基本操作单元进行写入。当前块从低页到高页依次写入，当全部页写完后进入下一个块的写入。NAND中如果只有部分页被写入的块则被称为写入块Open Block，与openblock对应的是全部页都被写满的块，该块被称为完成块Close Block。Open Block在页平均失效位上显著高于Close Block。

目前针对NAND的默认读电压都是针对Close Block的阈值电压分布定义出来的，因此用同一默认读电压去读Open Block会有较多的失效位。当Open Block默认读电压的失效位超出主控的纠错能力，就进入NAND重读流程，进而增加Open Block的读取时间从而降低NAND的读取效率。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备。

本发明的一个方面，提供了一种NAND芯片中写入块的读取方法，所述方法包括：

读取NAND芯片中写入块的数据时，获取所述写入块写入的字线数；

根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压；

根据所述优选读电压对所述写入块进行读取。

进一步地，所述根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压包括：

根据所述字线数采用预设的读电压补偿模型计算与所述字线数对应的读电压补偿值，所述读电压优化模型为根据训练数据拟合出的物理块写入不同字线数时的阈值电压和目标阈值电压的差值，与对应的写入的字线数之间的关系式，其中，所述目标阈值电压为物理块写满后成为完成块时对应的阈值电压；

根据所述读电压补偿值对默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压。

进一步地，在读取NAND芯片中写入块的数据时之前，所述方法还包括：

对测试物理块从写入WL0开始，逐层写入字线并记录测试物理块写入不同字线数时的阈值电压，直至写满当前测试物理块；