[发明专利]NAND芯片中写入块的读取方法、存储介质及设备

权利要求书

1.一种NAND芯片中写入块的读取方法，其特征在于，所述方法包括：

读取NAND芯片中写入块的数据时，获取所述写入块写入的字线数；

根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压；

根据所述优选读电压对所述写入块进行读取；

所述根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压包括：

根据所述字线数采用预设的读电压补偿模型计算与所述字线数对应的读电压补偿值，所述读电压补偿模型为根据训练数据拟合出的物理块写入不同字线数时的阈值电压和目标阈值电压的差值，与对应的写入的字线数之间的关系式，其中，所述目标阈值电压为物理块写满后成为完成块时对应的阈值电压；

根据所述读电压补偿值对默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在读取NAND芯片中写入块的数据时之前，所述方法还包括：

对测试物理块从写入WL0开始，逐层写入字线并记录测试物理块写入不同字线数时的阈值电压，直至写满当前测试物理块；

将测试物理块写满后成为完成块时对应的阈值电压作为目标阈值电压，分别计算出测试物理块写入不同字线数时的阈值电压与目标阈值电压的差值；

拟合所述差值和对应的写入的字线数之间的关系式，得到所述读电压补偿模型。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述字线数对所述写入块的默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压包括：

查找预设的读电压补偿值映射关系表，获取所述字线数所属的字线区域对应的读电压补偿值，所述读电压补偿值映射关系表中包括各个字线区域与读电压补偿值之间的对应关系；

根据所述读电压补偿值对默认读电压进行优化，得到所述写入块的优选读电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在读取NAND芯片中写入块的数据之前，所述方法还包括：

S31、将测试物理块的字线按顺序进行字线区域划分；

S32、对第一测试物理块的第一个字线区域进行写入，记录第一测试物理块的第一阈值电压，继续对第一测试物理块写入直至写满第一测试物理块，记录第一测试物理块的第二阈值电压，将第二阈值电压与第一阈值电压的差值作为第一个字线区域的读电压补偿值；

S33、对第二测试物理块的第一个字线区域和第二字线区域进行写入，记录第二测试物理块的第三阈值电压，继续对第二测试物理块写入直至写满第二测试物理块，记录第二测试物理块的第四阈值电压，将第四阈值电压与第三阈值电压的差值作为第二个字线区域的读电压补偿值；

S34、按照步骤S32～S33的方式获取各个字线区域的读电压补偿值；

根据各个字线区域与读电压补偿值之间的对应关系构建读电压补偿值映射关系表。

5.根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于，在字线中写入的为随机数据。

6.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述获取所述写入块写入的字线数，包括：从预设的写入块管理信息中获取所述写入块的最后写入的字线数；

所述写入块管理信息包括NAND芯片中各个写入块写入的字线状态。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述写入块管理信息中还包括所述读电压补偿模型和读电压补偿值映射关系表。

8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述方法的步骤。

9.一种存储设备，其特征在于，包括存储控制器，所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7任一项所述方法的步骤。