[发明专利]一种复合涂层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111662902.8 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN116417322A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈星建;陈煌琳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/30;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴;包姝晴 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 涂层 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合涂层结构，其特征在于，包含：
覆盖在基底上的阻挡层；及
设置在阻挡层外表面的牺牲层，其耐等离子体轰击；
所述的阻挡层相比所述的牺牲层在至少一种溶剂中耐腐蚀。
2.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的溶剂包含酸溶液或碱溶液。
3.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述阻挡层的孔隙率为0。
4.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的阻挡层为包含Al的无机涂层。
5.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的阻挡层包含YAG和/或Al2O3涂层。
6.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的阻挡层通过原子层沉积覆盖所述基底。
7.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的阻挡层的厚度为2μm～10μm。
8.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，在基底与所述的阻挡层之间还设置有保形层。
9.如权利要求8所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的保形层的孔隙率高于阻挡层。
10.如权利要求8所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的保形层包含通过等离子喷涂的Y2O3涂层。
11.如权利要求8所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的保形层的厚度为50μm～200μm。
12.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的牺牲层耐含氧和/或氟的等离子体轰击。
13.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的牺牲层包含含有钇基的涂层。
14.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的牺牲层包含Y2O3涂层、YF3涂层、YOF涂层中的至少一种。
15.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的牺牲层通过物理气相沉积覆盖所述阻挡层的外表面。
16.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的牺牲层的厚度为2μm～5μm。
17.如权利要求1所述的复合涂层结构，其特征在于，所述的基底的粗糙度为10nm～5μm。
18.一种复合涂层结构的制备方法，其特征在于，该方法包含：
提供一基底；
在基底外表面形成一阻挡层；
在阻挡层外表面形成一牺牲层，其耐等离子体轰击；
其中，所述的阻挡层相比所述的牺牲层在至少一种溶剂中耐腐蚀。
19.如权利要求18所述的复合涂层结构的制备方法，其特征在于，在形成阻挡层之前，还包含：在基底外表面形成一保形层，对基底进行全覆盖。
20.如权利要求19所述的复合涂层结构的制备方法，其特征在于，所述保形层通过等离子喷涂覆盖在基底表面。
21.如权利要求19所述的复合涂层结构的制备方法，其特征在于，所述阻挡层通过原子层沉积覆盖所述保形层。
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