[发明专利]一种大功率光阻芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种大功率光阻芯片，其特征在于，所述大功率光阻芯片包括：

N+层；

位于所述N+层一侧的N层；

位于所述N层一侧的P+层；其中，所述P+层上设置有连通至所述N层的腐蚀槽；

钝化层，覆盖于所述腐蚀槽的表面，且所述钝化层包括多个子钝化层，每个所述子钝化层的材料均不相同。

2.如权利要求1所述的大功率光阻芯片，其特征在于，所述钝化层包括Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层；所述Sipos氧化层、所述玻璃层以及所述LTO氧化层逐层连接。

3.如权利要求2所述的大功率光阻芯片，其特征在于，所述Sipos氧化层、所述玻璃层以及所述LTO氧化层逐层围成切割道，以便于刀片切割。

4.如权利要求1所述的大功率光阻芯片，其特征在于，所述大功率光阻芯片的尺寸大于130mil。

5.如权利要求1所述的大功率光阻芯片，其特征在于，所述大功率光阻芯片的厚度为220～250um。

6.一种大功率光阻芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一N型基片；

对所述N型基片的两侧进行掺杂，以形成逐层连接的N+层、N层以及的P+层；

沿所述P+层制作腐蚀槽，直至露出部分N层，以形成腐蚀槽；

基于所述腐蚀槽的表面制作钝化层，其中，所述钝化层包括多个子钝化层，每个所述子钝化层的材料均不相同。

7.如权利要求6所述的大功率光阻芯片制作方法，其特征在于，所述基于所述腐蚀槽的表面制作钝化层的步骤包括：

基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层。

8.如权利要求7所述的大功率光阻芯片制作方法，其特征在于，所述基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层的步骤包括：

当制作玻璃层时，逐渐降低烧结温度的升温速率，直至所述升温速率达到阈值或制作玻璃层完成。

9.如权利要求7所述的大功率光阻芯片制作方法，其特征在于，所述基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层的步骤包括：

当制作玻璃层时，先逐渐提升烧结温度的升温速率，后逐渐降低烧结温度的升温速率，直至所述升温速率达到阈值或制作玻璃层完成。

10.如权利要求7所述的大功率光阻芯片制作方法，其特征在于，所述基于所述腐蚀槽依次制作Sipos氧化层、玻璃层以及LTO氧化层的步骤包括：

当制作玻璃层时，依据1.5℃/min升降温速率调整烧结温度。