[发明专利]一种封装基板结构及其制备方法

权利要求书

1.一种封装基板结构，其特征在于，包括：

复合功能层；

芯片，位于所述复合功能层的一侧表面；

位于所述芯片侧部周围的所述复合功能层上的若干分立的限位件，所述限位件包括：位于所述复合功能层一侧表面的焊盘；与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起的限位部，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸。

2.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述限位部为焊球，所述限位部的横向特征尺寸为焊球的直径。

3.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述芯片的每侧侧部的均设置有所述限位件。

4.根据权利要求3所述的封装基板结构，其特征在于，所述芯片具有相对设置的第一侧和第二侧、以及相对设置的第三侧和第四侧；

所述若干分立的限位件包括：位于所述芯片的第一侧的第一限位件和第二限位件；位于所述芯片的第二侧的第三限位件和第四限位件；位于所述芯片的第三侧的第五限位件和第六限位件；位于所述芯片的第四侧的第七限位件和第八限位件。

5.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述复合功能层包括：芯板结构；第一积层结构，位于所述芯板结构朝向所述芯片的一侧表面；第二积层结构，位于所述芯板结构背向所述第一积层结构的一侧表面。

6.根据权利要求5所述的封装基板结构，其特征在于，所述芯板结构包括：芯板；贯穿所述芯板的第三导电柱；位于所述芯板背向所述第二积层结构的一侧表面且被所述第一积层结构覆盖的第一内线层；位于所述芯板背向所述第一积层结构一侧表面且被所述第二积层结构覆盖的第二内线层；所述第一内线层与所述第二内线层通过所述第三导电柱电连接。

7.根据权利要求6所述的封装基板结构，其特征在于，所述第一积层结构包括：第一积层；贯穿所述第一积层的第四导电柱；位于所述第一积层背向所述芯板结构一侧表面的第三内线层；所述第三内线层与所述第一内线层通过所述第四导电柱电连接。

8.根据权利要求7所述的封装基板结构，其特征在于，还包括：第一塑封层，位于所述复合功能层的一侧表面且埋覆所述芯片和所述若干分立的限位件；第一导电柱，贯穿所述芯片上的所述第一塑封层；第六导电柱，第六导电柱贯穿芯片侧部的所述第一塑封层；第一外线层，所述第一外线层位于所述第一塑封层背向所述复合功能层的一侧表面，所述第一外线层与所述芯片通过所述第一导电柱电连接；所述第一外线层与所述第三内线层通过所述第六导电柱电连接。

9.根据权利要求6所述的封装基板结构，其特征在于，所述复合功能层包括还包括：第二塑封层，位于所述第二积层结构背向所述芯板结构一侧的表面；第二导电柱，贯穿所述第二塑封层；第二外线层，位于所述第二塑封层背向所述第二积层结构的一侧表面；

所述第二积层结构包括：第二积层，贯穿所述第二积层的第五导电柱，位于所述第二积层背向所述芯板结构一侧表面且被所述第二塑封层覆盖的第四内线层；所述第四内线层与所述第二内线层通过所述第五导电柱电连接；

所述第四内线层与所述第二外线层通过所述第二导电柱电连接。

10.根据权利要求1所述的封装基板结构，其特征在于，所述限位部与所述芯片之间的距离大于或等于零且小于或等于5μm。

11.一种封装基板结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成复合功能层；

在所述复合功能层一侧表面上形成若干分立的限位件，形成所述限位件的步骤包括：在所述复合功能层一侧表面形成焊盘；提供限位部，将所述限位部与所述焊盘背向所述复合功能层一侧的表面焊接在一起，所述限位部的横向特征尺寸大于或等于所述焊盘的横向特征尺寸；

在所述复合功能层的表面上设置芯片，所述芯片被若干分立的限位件限位。