[发明专利]半导体工艺用抛光组合物、基板和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

包含在表面上暴露有官能团的金属氧化物颗粒作为磨料颗粒，

上述表面包含在末端具有环氧基的第一官能团和在末端具有胺基的第二官能团，

上述第二官能团的含量大于上述第一官能团的含量。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

上述金属氧化物颗粒是通过在一末端具有上述第一官能团的硅烷化合物和具有上述第二官能团的硅烷化合物进行改性的金属氧化物颗粒。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

上述第一官能团和上述第二官能团之比率为1:1至15的摩尔比。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

上述金属氧化物颗粒为选自由胶态二氧化硅、气相二氧化硅、二氧化铈、氧化铝、二氧化钛、氧化锆及其组合组成的组中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

上述金属氧化物颗粒的直径D₅₀为10nm至120nm。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

还包含：

非离子聚合物；及

螯合剂。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

pH为2至5。

8.根据权利要求6所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

由下述第一式表示的氧化硅膜抛光指数为以上，

第一式：

氧化硅膜抛光指数＝氧化硅膜抛光率/用于半导体工艺的抛光组合物中的金属氧化物颗粒浓度(wt％)。

9.根据权利要求6所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

作为以钨的抛光率为基准的氧化硅膜的抛光率的选择比为25以上。

10.根据权利要求6所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

以D₅₀为基准，颗粒粒度增加10％以上的时间点为12个月以上。

11.根据权利要求6所述的半导体工艺用抛光组合物，其特征在于，

同时抛光钨、扩散阻挡膜和氧化硅膜。

12.一种基板的制造方法，其特征在于，

包括通过适用权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物作为浆料来对基板进行抛光的过程。

13.一种半导体器件制造方法，其特征在于，

包括：

在基板上形成绝缘膜的步骤，

根据预先设计的布线形式对上述绝缘膜的一部分进行抛光的步骤，

在抛光后的绝缘膜上形成钨金属膜，以制备抛光前基板的步骤，以及

对上述抛光前基板进行抛光的抛光步骤；

上述抛光步骤包括通过适用权利要求1所述的半导体工艺用抛光组合物作为浆料来对上述抛光前的基板进行抛光的过程。