[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202111592526.X | 申请日: | 2021-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN114695472A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 金财铉;金官洙;林英男;金玟知;金锡显;宋旼根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙东喜;赵彤 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,该显示装置包括:
基板,所述基板具有第一区域和第二区域;
阳极,所述阳极位于第一区域处;
有机层,所述有机层位于所述第二区域处并且位于所述第一区域的阳极处;
阴极,所述阴极位于所述第一区域的所述有机层上;
光学补偿层,所述光学补偿层位于所述第一区域的阴极和所述第二区域的所述有机层上方,并且包括折射率比所述有机层的折射率低的至少一层;以及
封装层,所述封装层在所述第一区域和所述第二区域处位于所述光学补偿层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光学补偿层在所述第一区域处与所述阴极接触并且在所述第二区域处与所述有机层接触。
3.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述有机层上的有机图案,
其中:
所述第二区域是透光单元,
在所述透光单元处的所述有机层包括空穴传输层和电子传输层,并且
所述有机图案与所述光学补偿层接触。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,光的相位在所述有机层与所述光学补偿层之间的界面处改变了π。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第二区域是透光单元,
所述有机层包括电子传输层,并且
所述电子传输层在位于所述第二区域的透光单元处与所述光学补偿层接触,所述透光单元具有透光性。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
位于所述第一区域处的有机层包括空穴传输层、发光层和电子传输层,并且
所述空穴传输层和所述电子传输层延伸到所述第二区域。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二区域是透光单元,从所述发光层发射的光在所述阳极与所述阴极之间经历相长干涉,并且从所述透光单元发射的光在所述电子传输层与所述光学补偿层之间经历相长干涉和相消干涉。
8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
无机保护层,所述无机保护层位于所述光学补偿层与所述封装层之间,
其中,所述无机保护层的折射率比所述光学补偿层的折射率低。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,电子传输层的折射率nETL和所述光学补偿层的折射率nOCL满足
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光学补偿层的厚度大于等于或小于等于
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述光学补偿层的折射率小于等于所述封装层的折射率。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述光学补偿层包括多个层,并且
所述光学补偿层的所述多个层中的最上层和最下层的折射率比所述有机层的折射率低。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述光学补偿层的所述多个层中的最上层和最下层的折射率小于等于所述封装层的折射率。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一区域是发光单元。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述光学补偿层包括多个层,
所述光学补偿层的最下层是低折射率层并且与所述阴极接触,
所述光学补偿层的最上层是另一低折射率层,
所述光学补偿层的中间层是更高折射率层,并且插置在所述最下层与所述最上层之间,并且
所述低折射率层的厚度是所述更高折射率层的厚度的大约1.8倍至2.2倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111592526.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





