[发明专利]一种基于碳纳米管的纳流控芯片的制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米管的纳米通道加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：

步骤一、在基片上刻蚀标记；

步骤二、在刻蚀好标记的基片上生长碳纳米管水平阵列；

步骤三、通过光刻胶保护住所需的碳纳米管；

步骤四、将其他多余的碳纳米管用氧等离子体刻蚀掉；

步骤五、通过光刻的方法，在所需的碳纳米管上构建微流道；

步骤六、将碳纳米管两端打断；

步骤七、在微流道上表面键合一层预先打孔的PDMS；

步骤八、在预留的打孔处插入进液管和出液管。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其中所述基片为Si/SiO₂片。

3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其中所述纳米管为碳纳米管或氮化硼纳米管。

4.根据权利要求3所述的加工方法，其中所述纳米管为碳纳米管。

5.根据权利要求4所述的加工方法，其中步骤三使用正光刻胶，步骤五使用负光刻胶。

6.根据权利要求4所述的加工方法，其中步骤六中利用FIB精准刻蚀技术将碳纳米管两端打断。

7.根据权利要求4所述的加工方法，其中步骤八中包括在出液口插入电极的步骤。

8.使用根据权利要求1-7任一项所述的加工方法制备的基于纳米管的纳米通道。

9.根据权利要求1-7任一项所述的加工方法在制备病毒或生物大分子检测器件，纳米流控器件，高热流密度芯片散热器件或药物载体中的应用。

10.病毒或生物大分子检测器件，纳米流控器件，高热流密度芯片散热器件或药物载体，其特征在于，包括根据权利要求8所述的基于纳米管的纳米通道。