[发明专利]一种位移传感器

权利要求书

1.一种位移传感器，其特征在于，包括发射器线圈、接收器线圈、与所述接收器线圈相配合设置的金属目标以及弱磁场导磁元件，所述发射器线圈在所述接收器线圈周围产生一交变磁场，利用线圈感应和所述金属目标带来的涡流效应来检测所述金属目标相对于所述接收器线圈的位置，其中，所述弱磁场导磁元件靠近所述接收器线圈而设置，以通过导磁作用将所述发射器线圈产生的交变磁场吸引到所述弱磁场导磁元件周围，从而强化所述接收器线圈附近的磁场而减弱其他区域的磁场。

2.如权利要求1所述的位移传感器，其特征在于，所述弱磁场导磁元件为坡膜合金片。

3.如权利要求1或2所述的位移传感器，其特征在于，还包括线圈PCB板，所述发射器线圈和所述接收器线圈设置在所述线圈PCB板的一侧，所述弱磁场导磁元件设置在所述线圈PCB板的另一侧对应于所述接收器线圈的区域；或者，所述弱磁场导磁元件设置在所述线圈PCB板布置线圈的一侧；或者，所述设置在所述线圈PCB板的两侧。

4.如权利要求1至3任一项所述的位移传感器，其特征在于，所述金属目标以可滑动方式设置在所述接收器线圈的可感应区域。

5.如权利要求4所述的位移传感器，其特征在于，所述金属目标在所述接收器线圈的正上方以沿线圈长度方向可滑动的方式设置。

6.如权利要求5所述的位移传感器，其特征在于，还包括以沿所述线圈长度方向可滑动的方式设置的滑块，所述金属目标安装在所述滑块上。

7.如权利要求6所述的位移传感器，其特征在于，所述滑块上设置有磁钢，所述磁钢设置在所述金属目标的与所述接收器线圈相背的另一侧。

8.如权利要求5或6所述的位移传感器，其特征在于，所述滑块与线圈之间为非接触式安装，安装间隙为2mm±0.5mm。

9.如权利要求1至8任一项所述的位移传感器，其特征在于，所述弱磁场导磁元件的长度和宽度与所述接收器线圈的长度和宽度相等。

10.如权利要求1至9任一项所述的位移传感器，其特征在于，为线性位移位移传感器。