[发明专利]一种异质薄膜衬底、其制备方法和滤波器

权利要求书

1.一种异质薄膜衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供支撑衬底(1)，所述支撑衬底(1)具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面为粗糙面；

在所述第二表面上沉积缺陷层(2)；所述缺陷层(2)朝向所述支撑衬底(1)的一侧表面和远离所述支撑衬底(1)的一侧表面均为粗糙面；

在所述缺陷层(2)远离所述支撑衬底(1)的一侧表面上形成绝缘层(3)；

对所述绝缘层(3)进行抛光处理；

在所述绝缘层(3)远离所述支撑衬底(1)的一侧表面上形成压电层(5)，得到所述异质薄膜衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述绝缘层(3)远离所述支撑衬底(1)的一侧表面上形成压电层(5)包括：

提供压电衬底(4)，所述压电衬底(4)具有相对的第三表面和第四表面；

对所述压电衬底(4)的第三表面进行离子注入，在所述压电衬底(4)内形成离子注入层(41)；

将所述压电衬底(4)的所述第三表面与所述绝缘层(3)远离所述支撑衬底(1)的表面键合，得到键合晶圆；

对所述键合晶圆进行退火剥离处理，以使所述键合晶圆沿所述离子注入层(41)剥离，以在所述绝缘层(3)远离所述支撑衬底(1)的一侧表面上形成所述压电层(5)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二表面的粗糙度为1～1000nm；所述缺陷层(2)朝向所述支撑衬底(1)的一侧表面和远离所述支撑衬底(1)的一侧表面的粗糙度均为1～1000nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底(1)的材料包括硅、氧化硅、蓝宝石、金刚石、氮化铝、氮化镓、碳化硅及绝缘体上硅中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的离子包括氢离子、氦离子和氖离子中的至少一种；

所述离子注入的温度为-50至300℃；

所述离子注入的注入能量为1～2000keV；

所述离子注入的剂量为1×10¹⁶～1×10¹⁸cm^-2。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷层(2)的材料包括多晶硅和多晶锗中的至少一种，所述缺陷层(2)的厚度为0.1-10um。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层(3)的材料包括氧化硅和氧化锗中的至少一种，所述绝缘层(3)的厚度为0.1-10um。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压电衬底(4)的材料包括铌酸锂、钽酸锂、硼酸锂、铌镁酸铅-钛酸铅、硅酸镓镧、石英和酒石酸钾钠中的至少一种，所述压电衬底(4)的厚度为0.1-10um。

9.一种异质薄膜衬底，采用权利要求1-8中任一项所述的制备方法制得，其特征在于，包括：支撑衬底(1)、缺陷层(2)、绝缘层(3)和压电层(5)；

所述支撑衬底(1)具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面为粗糙面；

所述缺陷层(2)沉积在所述第二表面上；所述缺陷层(2)相对的两个表面均为粗糙面；

所述绝缘层(3)位于所述缺陷层(2)远离所述支撑衬底(1)的表面上；

所述压电层(5)位于所述绝缘层(3)远离所述支撑衬底(1)的表面上。

10.一种滤波器，其特征在于，包括根据权利要求9所述的异质薄膜衬底结构。