[发明专利]Flash存储器的数据纠错方法、设备以及介质

权利要求书

1.一种Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法包括以下步骤：

在监测到从Flash存储器的数据页读取数据报错时，获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间；

将所述数据页参数和所述数据存储状态参数输入预设的数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型基于所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数进行离线训练得到；

获取所述数据纠错模型基于所述数据页参数和所述数据存储状态参数进行计算并输出的实时最优重读参数；

根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错。

2.如权利要求1所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：

获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数，并基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型。

3.如权利要求2所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述获取所述Flash存储器在各使用场景下的状态参数的步骤，包括：

模拟所述Flash存储器的各使用场景；

分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数。

4.如权利要求3所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述模拟所述Flash存储器的各使用场景，和所述分析和采集所述Flash存储器在各所述使用场景下的状态参数的步骤，包括：

模拟所述Flash存储器中一个目标数据页的各使用场景，并分析和采集所述目标数据页在各所述使用场景下的状态参数。

5.如权利要求2至4任一项所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述状态参数包括：所述Flash存储器在各所述使用场景中的最优重读参数，和，所述Flash存储器的数据页的数据页参数和数据存储状态参数，其中，所述数据页参数包括：擦除次数和读次数，所述数据存储状态参数包括：数据存储温度和数据存储时间。

6.如权利要求5所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述基于所述状态参数进行离线训练得到所述数据纠错模型的步骤，包括：

以所述擦除次数、所述读次数、所述数据存储温度和所述数据存储时间为影响因子，针对各所述最优重读参数进行拟合形成所述数据纠错模型，其中，所述数据纠错模型以曲线为模型的表现形式。

7.如权利要求1所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述根据所述实时最优重读参数针对所述数据页进行重读实现数据纠错的步骤，包括：

根据所述实时最优重读参数确定所述数据页的电压阈值的偏移方向，并按照所述偏移方向偏移所述数据页的默认电压阈值以针对所述数据页进行数据重读。

8.如权利要求1所述的Flash存储器的数据纠错方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据纠错方法还包括以下步骤：

在所述Flash存储器的预设存储空间当中，记录所述Flash存储器在使用过程中数据页的数据页参数和数据存储状态参数；

所述获取所述数据页的数据页参数和数据存储状态参数的步骤，包括：

从所述预设存储空间当中提取所述数据页的所述数据页参数和所述数据存储状态参数。

9.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的Flash存储器的数据纠错程序，所述Flash存储器的数据纠错程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。

10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的Flash存储器的数据纠错方法的步骤。