[发明专利]高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池及制备方法

权利要求书

1.高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，包括安置架(1)、电池板(5)及反光板(3)，其特征在于，所述安置架(1)顶端固定连接有第一支架(4)，所述第一支架(4)末端通过销轴转动连接有电池板(5)；

所述电池板(5)包括背板(501)，所述背板(501)下表面固定连接有电极(506)，所述背板(501)上表面固定连接有吸光层(502)，所述吸光层(502)上表面固定连接有抗反射层(503)，所述抗反射层(503)上表面固定连接有电池片(504)，所述电池片(504)上表面固定连接有吸光玻璃(505)。

2.根据权利要求1所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述安置架(1)中部固定俩呢有第二支架(2)，所述第二支架(2)上转动连接有固定块(201)，所述固定块(201)侧面开设有卡槽(202)，所述第二支架(2)端侧开设有螺纹(203)，所述第二支架(2)上端开设有槽口(204)，所述螺纹(203)外部套设有压环(205)，所述压环(205)侧面开设有侧齿(206)，所述压环(205)内壁固定连接有限位块(207)，所述螺纹(203)外部配合连接有螺母(208)。

3.根据权利要求1所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述电池板(5)背面固定连接有调整板(6)，所述调整板(6)侧面开设有滑槽(8)，所述滑槽(8)贯穿调整板(6)两侧面，所述滑槽(8)内壁上开设有齿条(7)，所述齿条(7)上啮合有齿轮(9)，所述齿轮(9)中间固定连接有转轴，所述转轴贯穿滑槽(8)延伸至外部，所述转轴上转动连接有支撑杆(10)，所述转轴末端固定连接有涡轮(11)，所述涡轮(11)表面配合连接有蜗杆(12)，所述蜗杆(12)下端固定连接有电机(13)，所述电机(13)与支撑杆(10)侧面上部固定连接。

4.根据权利要求3所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述支撑杆(10)下端通过销子与第一支架(4)侧面转动连接。

5.根据权利要求2所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述固定块(201)上端固定连接有反光板(3)，所述反光板(3)上表面为非镜面体。

6.根据权利要求2所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述压环(205)侧面与固定块(201)侧面贴合，所述卡槽(202)与侧齿(206)吻合，所述限位块(207)与槽口(204)温和，所述压环(205)可在螺纹(203)表面滑动。

7.根据权利要求1所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述电池板(5)外部设置有边框。

8.根据权利要求1所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述背板(501)为可透光板材。

9.根据权利要求3所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池，其特征在于，所述支撑杆(10)与调整板(6)侧面齐平。

10.一种如权利要求1-9任意一项所述的高转换效率掺杂单晶双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤一：通过单晶硅的制绒工艺，将硅与NaOH反应，在硅片上形成减反织构，多晶硅的制绒工艺则是加入硝酸和氢氟酸，在硅片表面形成减反织构。

步骤二：再将三氯氧磷(POCl3)在840℃左右的高温炉中在p型硅片表面部分分解为P原子，经过高温扩散作为n型参杂进入硅片形成p-n结，同时硅片表面形成的磷硅玻璃(PSG)。

步骤三：扩散后形成的PN结还存在于硅片侧面和背面，需要刻蚀掉以保证PN结绝缘，同时高复合的PSG层也要刻蚀掉，这一过程通过干法(等离子体)或湿法刻蚀。

步骤四：等离子化学气相沉积(PECVD)：PECVD被使用来在硅片表面沉积氮化硅和氧化铝材料，是在300－500℃的温度下通过化学反应产生Si3N4和Al2O3的过程。