[发明专利]欧姆接触GaN器件及其制备方法

权利要求书

1.一种欧姆接触GaN器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

于所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括自下而上叠置的GaN层及AlGaN势垒层；

于所述AlGaN势垒层上形成覆盖所述AlGaN势垒层的SiN钝化层；

于所述SiN钝化层上形成覆盖所述SiN钝化层的光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成具有倾斜侧壁的光刻胶层；

采用ICP刻蚀法，图形化所述SiN钝化层，形成具有倾斜侧壁的SiN钝化层；

进行离子注入，在所述外延结构中形成源极区及漏极区，所述源极区及所述漏极区贯穿所述AlGaN势垒层且底部延伸至所述GaN层中，且所述源极区及所述漏极区的掺杂浓度均呈高斯分布；

采用ICP刻蚀法，图形化所述AlGaN势垒层及所述GaN层，形成具有倾斜侧壁的GaN层，且显露所述源极区及所述漏极区中高斯分布的中心掺杂区；

形成与所述中心掺杂区对应接触的源金属电极及漏金属电极；

采用ICP刻蚀法，图形化所述SiN钝化层，形成与所述AlGaN势垒层接触的栅极金属电极。

2.根据权利要求1所述的欧姆接触GaN器件的制备方法，其特征在于：图形化所述光刻胶层的方法包括电子束曝光法，且施加于所述光刻胶层的边缘区域的曝光剂量大于施加于所述光刻胶层的中心区域的曝光剂量。

3.根据权利要求2所述的欧姆接触GaN器件的制备方法，其特征在于：图形化后的所述光刻胶层呈梯形形貌。

4.根据权利要求1所述的欧姆接触GaN器件的制备方法，其特征在于：在形成的具有倾斜侧壁的所述GaN层中，所述GaN层的倾斜侧壁与水平面的夹角范围为15°~60°。

5.根据权利要求1所述的欧姆接触GaN器件的制备方法，其特征在于：在形成所述源极区及所述漏极区时，离子注入的能量包括40KeV-70KeV，离子注入的剂量包括1e15-5e15/cm²。

6.根据权利要求5所述的欧姆接触GaN器件的制备方法，其特征在于：所述离子注入的种类包括Si离子注入。

7.根据权利要求1所述的欧姆接触GaN器件的制备方法，其特征在于：采用退火工艺形成所述源金属电极、所述漏金属电极及所述栅极金属电极，且退火温度包括400℃-600℃。