[发明专利]一种双向自适应接口电路在审
| 申请号: | 202111467739.X | 申请日: | 2021-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN114047704A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
| 发明(设计)人: | 叶明;罗慧文 | 申请(专利权)人: | 成都旋极历通信息技术有限公司 |
| 主分类号: | G05B13/04 | 分类号: | G05B13/04 |
| 代理公司: | 成都华烨专利代理事务所(普通合伙) 51336 | 代理人: | 严刘英 |
| 地址: | 610000 四川省成都市武侯区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双向 自适应 接口 电路 | ||
本发明公开了一种双向自适应接口电路,包括半双工接口电路;半双工接口电路包括共用对外接口的发送电路和接收电路;发送电路和接收电路的输入端均与控制器电性连接;发送电路包括NMOS管Q1、PMOS管Q2和NMOS管Q3;NMOS管Q1依次与PMOS管Q2和NMOS管Q3电性连接;接收电路包括与控制器电性相连的比较器COMP1。本发明相对于传统的自适应接口芯片的IO接口电平范围,本发明电路拓展了IO接口的电平范围,使输入输出接口的电平范围达到60V甚至更高,构建的双向自适应接口电路即可替换常规的自适应接口芯片使用,也可作为离散量IO接口使用,应用场景丰富,适配性较高,具有较强的实用性和适用性。
技术领域
本发明属于接口电路的技术领域,具体涉及一种双向自适应接口电路。
背景技术
输入/输出接口是一种电子电路,通常为IC芯片或接口板,内部由一些专用寄存器和相应的控制逻辑电路组成。它是CPU与输入/输出设备之间进行信息交换的媒介和桥梁。CPU与外部设备、存储器的连接和数据交换都需要通过一个接口设备来完成,前者称为I/O接口,后者称为存储器接口。内存一般都是由CPU进行同步控制,接口电路比较简单;与I/O设备种类不同,其相应的接口电路也不同。
但现有的自适应接口芯片的IO接口电平范围偏低,无法满足某些特殊场景的使用需求。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中的上述不足,提供一种双向自适应接口电路,以解决现有的自适应接口芯片的IO接口电平范围偏低的问题。
为达到上述目的,本发明采取的技术方案是:
一种双向自适应接口电路,其包括半双工接口电路;半双工接口电路包括共用对外接口的发送电路和接收电路;发送电路和接收电路的输入端均与控制器电性连接;
发送电路包括NMOS管Q1、PMOS管Q2和NMOS管Q3;NMOS管Q1依次与PMOS管Q2和NMOS管Q3电性连接;接收电路包括与控制器电性相连的比较器COMP1。
优选地,NMOS管Q1的栅极G与控制器信号输出端相连,且NMOS管Q1的栅极G通过电阻R1下拉至GND;NMOS管Q1的源极S接GND,NMOS管Q1的漏极D与PMOS管Q2的栅极G相连。
优选地,电阻R1的阻值为1K。
优选地,PMOS管Q2的栅极G通过电阻R2与电源VCC电连接,PMOS管Q2的源极S与电源VCC相连,PMOS管Q2的漏极D通过电阻R4与发送端输出接口OUTPUT连接。
优选地,电阻R2的阻值为10K,电阻R4的阻值为3.3K。
优选地,述NMOS管Q3的栅极G通过电阻R3下拉至GND,NMOS管Q3的源极S接GND,NMOS管Q3的漏极D作为发送端输出接口OUTPUT。
优选地,电阻R3的阻值为1K。
优选地,比较器COMP1的正端通过反向二极管D1与接收信号INPUT相连,且比较器COMP1的正端通过电阻R6上拉至电压。
优选地,比较器COMP1负端与比较电压电连接。
优选地,比较器COMP1输出端为开漏输出,并通过电阻R5上拉至电压。
本发明提供的双向自适应接口电路,具有以下有益效果:
本发明通过共用对外接口的发送电路和接收电路组成半双工接口电路,并具体采用NMOS管、PMOS管和比较器进行电路的构建,相对于传统的自适应接口芯片的IO接口电平范围,本发明电路拓展了IO接口的电平范围,使输入输出接口的电平范围达到60V甚至更高。
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