[发明专利]一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件

权利要求书

1.一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，包括衬底，在所述衬底下方设置有漏极，所述衬底上方设置有硅外延层，所述硅外延层上方设置有Si_1-xGe_x源极层和绝缘栅层，所述Si_1-xGe_x源极层和所述绝缘栅层左右相接，所述Si_1-xGe_x源极层上方设置有金属源极。

2.根据权利要求1所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述硅外延层自下到上依次包括N型缓冲区、N型漂移区和p^-Si体区，所述N型缓冲区下方与所述衬底相接，所述p^-Si体区上方与所述Si_1-xGex源极层相接。

3.根据权利要求1所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述Si_1-xGex源极层包括p⁺Si_1-xGe_x源区和n⁺Si_1-xGe_x源区，所述p⁺Si_1-xGe_x源区右方与所述n⁺Si_1-xGe_x源区相接。

4.根据权利要求1或3所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述p⁺Si_1-xGe_x源区的掺杂浓度、源极扩散深度能够进行调整。

5.根据权利要求4所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述n⁺Si_1-xGe_x源区的掺杂浓度、源极扩散深度能够进行调整。

6.根据权利要求1所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述绝缘栅层包括多晶硅栅极，所述多晶硅栅极的表面设置有栅氧化层。

7.根据权利要求1所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述衬底为硅层。

8.根据权利要求4所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述p⁺Si_1-xGe_x源区的掺杂浓度的调整范围为1×10¹⁷cm^-3-1×10²⁰cm^-3，所述p⁺Si_1-xGe_x源区源极扩散深度的范围为0.1um-0.5um。

9.根据权利要求5所述的具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，其特征在于，所述n⁺Si_1-xGe_x源区的掺杂浓度的调整范围为1×10¹⁷cm^-3-1×10²⁰cm^-3，所述n⁺Si_1-xGe_x源区源极扩散深度的范围为0.1um-0.5um。