[发明专利]一种老化追踪电路、电子器件及电子设备

权利要求书

1.一种老化追踪电路，其特征在于，包括：

锁存器，由交叉耦合的第一反相器和第二反相器构成，所述第一反相器中具有第一PMOS晶体管，所述第二反相器中具有第二PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的尺寸与原始电路中待追踪PMOS晶体管的尺寸一致，且大于所述第二PMOS晶体管的尺寸，且所述第一PMOS晶体管老化后的驱动能力小于所述第二PMOS晶体管的驱动能力；

数据下拉模块，第一端与所述锁存器的两个数据存储点连接，第二端接地，第三端用于接入控制信号；所述第一端与所述第二端在所述控制信号的作用下导通和断开，其中，在所述原始电路上电时，所述第一端与所述第二端导通，以将所述两个数据存储点中的数据清零，并在所述两个数据存储点中的数据清零后，所述第一端与所述第二端断开。

2.如权利要求1所述的老化追踪电路，其特征在于，所述数据下拉模块包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述两个数据存储点为第一数据存储点和第二数据存储点；

所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的漏极共同构成所述第一端；其中，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第一数据存储点连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第二数据存储点连接；

所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的源极为所述第二端，均接地；

所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的栅极为所述第三端，均接入所述控制信号；其中，在所述原始电路上电时，所述控制信号为高电平信号；在所述两个数据存储点中的数据清零后，所述控制信号为低电平信号。

3.如权利要求1所述的老化追踪电路，其特征在于，所述老化追踪电路还包括：

信号稳定模块，与所述两个数据存储点中的任一个数据存储点连接，用于将所述数据存储点中的数据以稳定的信号输出。

4.如权利要求3所述的老化追踪电路，其特征在于，所述信号稳定模块为反向器和/或缓冲器。

5.如权利要求1-4任一项所述的老化追踪电路，其特征在于，所述老化追踪电路还包括：

电路修复模块，包括控制端、第一输入端、第一输出端、第二输入端和第二输出端；

所述第一输入端用于接入所述原始电路的输入信号，所述第一输出端用于接入所述原始电路的输入端；所述第二输入端用于接入所述原始电路的输出端，以接收所述原始电路的输出信号；

所述控制端与所述两个数据存储点中的任一个数据存储点连接；

所述电路修复模块用于根据所连接的数据存储点的信号：对所述原始电路的输入信号进行取反操作，将取反后的输入信号通过所述第一输出端输出至所述原始电路，并针对所述原始电路的输出信号进行取反操作，将取反后的输出信号通过所述第二输出端输出；或，将所述原始电路的输入信号通过所述第一输出端输出至所述原始电路，并将所述原始电路的输出信号通过所述第二输出端输出。

6.如权利要求5所述的老化追踪电路，其特征在于，所述电路修复模块包括：输入反向器、输出反向器、第一多路选择器和第二多路选择器；

所述输入反向器的一端为所述第一输入端，另一端接入所述第一多路选择器；

所述第一多路选择器的一路输入端为所述第一输入端，另一路输入端与所述输入反向器连接；所述第一多路选择器的输出端为所述第一输出端；

所述输出反向器的一端为所述第二输入端，另一端接入所述第二多路选择器；

所述第二多路选择器的一路输入端为所述第二输入端，另一路输入端与所述输出反向器连接；所述第二多路选择器的输出端为所述第二输出端；

所述第一多路选择器和所述第二多路选择器的控制端均与所述两个数据存储点中的任一个数据存储点连接；

所述第一多路选择器和所述第二多路选择器用于根据所连接的数据存储点的信号：选通所述输入反向器和所述输出反向器；或，选通所述原始电路的输入信号和所述原始电路的输出信号。