[发明专利]热电堆传感器的制作方法

权利要求书

1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供热电堆结构板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区的热电堆结构板包括堆叠的功能层和基底层，所述热辐射感应区的功能层中形成有热电堆结构；

在所述功能层背向基底层一侧的表面，形成贯穿热辐射感应区的部分厚度功能层的盲孔；

提供具有第一空腔的盖板；

实现所述盖板与所述热电堆结构板的键合，所述第一空腔与所述热辐射感应区的功能层相对设置，且与所述盲孔相连通；

以所述盲孔露出的功能层为刻蚀停止层，形成贯穿盲孔上方的基底层的底部连通孔；

去除位于所述底部连通孔和盲孔之间的剩余功能层，形成贯穿所述功能层的顶部连通孔，所述顶部连通孔和底部连通孔相连通构成贯穿所述热电堆结构板的连通孔，所述连通孔与所述第一空腔相连通；

提供基板；

实现所述基板与所述热电堆结构板的基底层的键合，所述基板与所述热辐射感应区的基底层之间形成有第二空腔，且所述第二空腔与所述连通孔相连通。

2.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆传感器的制作方法还包括：在实现所述盖板与所述热电堆结构板的键合之后，在形成所述底部连通孔之前，对所述基底层背向功能层一侧的表面进行减薄处理。

3.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，在提供热电堆结构板的步骤中，所述热辐射感应区的所述功能层包括与所述基底层相接触的绝缘层以及位于所述绝缘层背向基底层一侧表面的功能结构层；

在形成所述盲孔的步骤中，所述盲孔贯穿所述功能结构层，或者，所述盲孔贯穿所述功能结构层和部分厚度的所述绝缘层；

在形成所述底部连通孔的步骤中，以所述盲孔露出的绝缘层为刻蚀停止层，对所述盲孔上方的基底层进行刻蚀，形成所述底部连通孔。

4.如权利要求1或3所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，在形成所述盲孔的步骤中，所述盲孔底部的剩余功能层的厚度为至

5.如权利要求3所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构板包括绝缘体上硅衬底，所述基底层为底层半导体层，所述功能结构层为顶层半导体层。

6.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，形成所述盲孔的工艺包括干法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆传感器的制作方法还包括：在形成所述盲孔后，实现所述盖板与所述热电堆结构板的键合之前，在所述功能层上的所述热辐射感应区的外围区域形成第一键合环；

在提供具有第一空腔的盖板的步骤中，所述第一空腔的外围区域的盖板上还形成有第二键合环；

实现所述盖板与所述热电堆结构板的键合的步骤包括：实现所述第一键合环和第二键合环之间的键合，且所述第一键合环和第二键合环密封所述第一空腔。

8.如权利要求7所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，在所述提供热电堆结构板的步骤中，所述功能层背向所述基底层一侧的表面上还形成有导电互连结构，所述导电互连结构位于所述热辐射感应区的外围区域；

在形成所述第一键合环的步骤中，所述第一键合环位于所述热辐射感应区与所述导电互连结构之间；

在实现所述第一键合环和第二键合环之间的键合的步骤中，所述第一键合环和第二键合环位于所述热辐射感应区与所述导电互连结构之间。

9.如权利要求7所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，实现所述第一键合环和第二键合环之间的键合的工艺包括金属键合工艺。

10.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，形成所述底部连通孔的工艺包括干法刻蚀工艺。

11.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，去除位于所述底部连通孔和盲孔之间的剩余功能层的工艺包括干法刻蚀工艺。