[发明专利]错误类型指示在审

专利信息
申请号: 202111445440.4 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114613422A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: S·布赫 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 错误 类型 指示
【说明书】:

本申请涉及错误类型指示。存储器装置可以在对码字执行错误检测程序的同时检测错误。所述存储器装置可以向主机装置传输一或多个位,其可以是指示由所述存储器装置检测到的错误类型的一或多个错误标志。通过向例如主机装置的请求装置传输所述一或多个位,所述存储器装置可以指示在返回到所述请求装置的所述数据集合中检测到存在特定类型的错误。

相关申请的交叉引用

专利申请要求由布赫(BUCH)于2020年12月4日提交的标题为“错误类型指示(ERROR TYPE INDICATION)”的第63/121,744号美国专利申请的优先权,所述美国专利申请转让给本受让人,并且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及错误类型指示。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如,二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个,经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中,单个存储器单元可以支持超过两个状态,其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息,组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息,组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术和其它。存储器单元可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器,例如FeRAM,可维持其所存储逻辑状态很长一段时间,即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。

发明内容

描述了一种设备。所述设备可以包含:解码器,其配置成检测码字中的一或多个错误;第一逻辑门,其与所述解码器耦合且配置成对从所述解码器输出的第一位集合执行第一逻辑或运算,所述第一位集合表示包含在所述码字中的奇偶校验位集合的错误标志;以及第二逻辑门,其与所述解码器耦合且配置成对从所述解码器输出的第二位集合执行第二逻辑或运算,所述第二位集合表示包含在所述码字中的数据位集合的错误标志。

描述了一种方法。所述方法可由存储器装置执行并且可以包含:由解码器对受错误校正码保护的码字执行错误检测程序;由所述解码器至少部分地基于所述错误检测程序输出表示包含在所述码字中的奇偶校验位集合的错误标志的第一位集合和表示包含在所述码字中的数据位集合的错误标志的第二位集合;对表示包含在所述码字中的所述奇偶校验位集合的错误标志的所述第一位集合执行第一逻辑或运算;以及对表示包含在所述码字中的所述数据位集合的错误标志的所述第二位集合执行第二逻辑或运算。

描述一种设备。所述设备可以包含:控制器,其配置成与存储器装置耦合,其中所述控制器配置成使得所述设备:向所述存储器装置传输针对数据集合的读取命令;至少部分地基于传输所述读取命令而从所述存储器装置接收所述数据集合;以及从所述存储器装置接收与所述数据集合相关联且指示在所述数据集合的错误检测程序期间检测到的错误类型的位集合,所述错误类型包括数据位错误、奇偶校验位错误或多位错误。

附图说明

图1示出根据本文公开的实例的支持错误类型指示的系统的实例。

图2示出根据本文公开的实例的支持错误类型指示的装置的实例。

图3示出根据本文公开的实例的支持错误类型指示的装置的实例。

图4示出根据本文公开的实例的支持错误类型指示的装置的实例。

图5示出根据本文公开的实例的支持错误类型指示的过程流程的实例。

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