[发明专利]电子组件与制造方法

权利要求书

1.一种电子组件，用于一电子产品，其特征在于，所述电子组件包含有：一衬底；

一凸块，设置在所述衬底上，用以电性连接所述电子产品；以及

至少一凸块底层金属层，设置在所述凸块与所述衬底间来让所述凸块贴合所述衬底；

其中，所述凸块底层金属层形成一缺口结构，使凸块底层金属层在一边上后退至少0.5微米的距离。

2.如权利要求1所述的电子组件，其特征在于，所述凸块的材质与所述凸块底层金属层的材质为相同时，所述凸块底层金属层形成所述凸块的一部分，或所述凸块的材质与所述凸块底层金属层的材质为不相同时，所述凸块与所述凸块底层金属层为堆栈设置的一金属键结合体。

3.如权利要求1所述的电子组件，其特征在于，所述缺口结构位于所述凸块贴合所述凸块底层金属层的一平面上，且从一俯视角度看去，所述凸块投影的一第一截面积大于所述凸块底层金属层投影的一第二截面积。

4.如权利要求1所述的电子组件，其特征在于，在一蚀刻工作中，所述凸块底层金属层进行一结构破坏程序，以对应在所述凸块贴合所述凸块底层金属层的一平面上形成所述缺口结构。

5.如权利要求1所述的电子组件，其特征在于，包含另一凸块底层金属层，设置在所述凸块底层金属与所述衬底间，且从一俯视角度看去，所述另一凸块底层金属层投影的一第三截面积大于所述凸块底层金属层投影的一第二截面积。

6.如权利要求5所述的电子组件，其特征在于，所述凸块底层金属层与所述另一凸块底层金属层堆栈形成一阶梯状结构。

7.如权利要求1所述的电子组件，其特征在于，所述凸块底层金属层相较于所述凸块内缩一长度m，而所述凸块底层金属层包含有一厚度n，所述长度m大于或等于四分之一的所述厚度n。

8.一种制造方法，用于一电子产品的一电子组件，其中所述电子组件包含有一衬底、一凸块以及至少一凸块底层金属层，其特征在于，所述制造方法包含有：

依序在所述衬底上设置所述凸块底层金属层与所述凸块；以及

在所述凸块底层金属层进行一蚀刻工作来形成一缺口结构，使凸块底层金属层在一边上后退至少0.5微米的距离。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述凸块的材质与所述凸块底层金属层的材质为相同时，所述凸块底层金属层形成所述凸块的一部分，或所述凸块的材质与所述凸块底层金属层的材质为不相同时，所述凸块与所述凸块底层金属层为堆栈设置的一金属键结合体。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述缺口结构位于所述凸块贴合所述凸块底层金属层的一平面上，且从一俯视角度看去，所述凸块投影的一第一截面积大于所述凸块底层金属层投影的一第二截面积。

11.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述蚀刻工作对所述凸块底层金属层进行一结构破坏程序，以对应在所述凸块贴合所述凸块底层金属层的一平面上形成所述缺口结构。

12.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，还包含在所述凸块底层金属与所述衬底间形成另一凸块底层金属层，且从一俯视角度看去，所述另一凸块底层金属层投影的一第三截面积大于所述凸块底层金属层投影的一第二截面积。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述凸块底层金属层与所述另一凸块底层金属层堆栈形成一阶梯状结构。

14.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，使所述凸块底层金属层相较于所述凸块内缩一长度m，而所述凸块底层金属层包含有一厚度n，并使所述长度m大于或等于四分之一的所述厚度n。