[发明专利]一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法及装置在审
| 申请号： | 202111438950.9 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114266356A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 关盈 | 申请（专利权）人： | 浪潮集团有限公司 |
| 主分类号： | G06N10/20 | 分类号： | G06N10/20 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 姜鹏 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 量子 测控 系统 电子器件 低温 建模 方法 装置 | ||
1.一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：该方法选取晶体管在低温环境下进行测量，在测试数据的基础上建立电子器件的低温模型。
2.根据权利要求1所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、将电子器件测试样品放入低温腔中；
S2、测量低温环境下电子器件测试样品的参数；
S3、选取常温下电子器件模型；
S5、提取低温环境下的测量参数，调整低温环境下的模型参数；
S6、增加电阻修正KINK效应。
3.根据权利要求2所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：步骤S1中，将电子器件测试样品焊接到PCB裸板上，通过测试杆送入低温腔中。
4.根据权利要求3所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：步骤S2中，对电子器件测试样品在低温下的参数进行测试，包括电流电压特性、阀值电压和开关比。
5.根据权利要求4所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：所述开关比为电子器件开启和关断电流之比。
6.一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的装置，其特征在于：包括放入模块、参数测量模块、模型选取模块、模型参数调整模块和电阻修正KINK效应增加模块；
放入模块用于将电子器件测试样品放入低温腔中；
参数测量模块用于测量低温环境下电子器件测试样品的参数；
模型提取模块用于选取常温下电子器件模型；
模型参数调整模块用于提取低温环境下的测量参数，调整低温环境下的模型参数；
电阻修正KINK效应增加模块用于增加电阻修正KINK效应。
7.根据权利要求6所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的装置，其特征在于：所述放入模块将电子器件测试样品焊接到PCB裸板上，通过测试杆送入低温腔中。
8.根据权利要求7所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的装置，其特征在于：所述参数测量模块对电子器件测试样品在低温下的参数进行测试，包括电流电压特性、阀值电压和开关比。
9.根据权利要求8所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的装置，其特征在于：参数测量模块中开关比为电子器件开启和关断电流之比。
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