[发明专利]一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法

说明书

本申请涉及MLCC陶瓷晶粒分析领域，公开了一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法，用于分析陶瓷晶粒形貌及陶瓷烧结致密性，包括如下步骤：S1、准备设备：选用高带速运行最高可达180mm/min且升温速率最高可达到8000℃/h的快速烧结炉；S2、样品处理：沿样品的电极长轴或短轴方向切片；S3、样品升温：送样品进快速烧结炉并调节升温速率为3000~8000℃/min；S4、样品保温：在温度达到800~1300℃时保温1~60min；S5、样品降温：对完成S4步骤的样品进行降温，调节降温速率为3000~8000℃/min。通过上述方式，解决现有技术不容易分析陶瓷晶粒真实形貌及陶瓷烧结致密性的问题。

技术领域

本申请涉及MLCC陶瓷晶粒分析领域，尤其涉及一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法。

背景技术

多层片式陶瓷电容器（MLCC）是适合于表面贴装技术（SMT）的小尺寸、高比容、高精度的电子元器件，当前MLCC主要朝着微型化、高容量化、高频化、高温化、高电压化方向发展。

瓷粉占MLCC的生产成本较大，尤其是高容MLCC 的生产，对于瓷粉的纯度、粒径、粒度和形貌有严格要求。MLCC中单层介质所包含的陶瓷晶粒个数与它的电性能和可靠性密切相关，因此确认陶瓷介质层的晶粒形貌及尺寸大小能反应出所选择的瓷粉合适与否。

现有分析陶瓷晶体形貌常用的处理方法包括：化学腐蚀和热腐蚀。化学腐蚀一般是采用强酸，如HF、HCl或HNO₃的混合溶液，处理陶瓷样品表面，通过强酸对晶界和晶粒腐蚀程度的差异形成形貌相。它的优点是简单方便，效率高，可以同时处理大量样品，缺点是对于粒径较小的粉体以及耐酸腐蚀性强的粉体效果不明显。热腐蚀是将样品置于高温炉中，通过晶界元素的挥发来实现晶粒的显像。它的缺点是生产效率低，腐蚀条件不易摸索，但是能处理晶粒尺寸很小的样品。

因此，探索热腐蚀技术十分必要。

发明内容

鉴于上述问题，本申请提供了一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法，旨在解决现有技术不容易分析陶瓷晶粒真实形貌及陶瓷烧结致密性的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法，用于分析陶瓷晶粒形貌及陶瓷烧结致密性，其特征在于，包括如下步骤：

S1、准备设备：打开高带速运行最高可达180mm/min且升温速率最高可达到8000℃/h的快速烧结炉并维持快速烧结炉的氮气环境；

S2、样品处理：沿样品的电极长轴或短轴方向切片；

S3、样品升温：送样品进快速烧结炉并调节升温速率为3000~8000℃/min；

S4、样品保温：在温度达到800~1300℃时保温1~60min；

S5、样品降温：调节降温速率为3000~8000℃/min将完成S4步骤的样品降温至100℃以下可取出。

本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请的一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法，采用一种能够快速升降温的设备及合适的腐蚀工艺来满足细晶陶瓷的热腐蚀需求。以便挥发晶界的同时不对晶粒产生过多的腐蚀。通过上述方式，解决现有技术不容易分析陶瓷晶粒真实形貌及陶瓷烧结致密性的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本申请提供的一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法的流程图；

图2为本申请提供的现有酸腐蚀技术的效果图；