[发明专利]一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法有效
| 申请号： | 202111430181.8 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN113848105B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 黄翔;黄卫钢 | 申请（专利权）人： | 广东微容电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01N1/44 |
| 代理公司： | 深圳市国高专利代理事务所(普通合伙) 44731 | 代理人： | 陈冠豪 |
| 地址： | 527200 广东省云浮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 便于 分析 mlcc 陶瓷 晶粒 样品 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法，用于分析陶瓷晶粒形貌及陶瓷烧结致密性，其特征在于，包括如下步骤：
S1、准备设备：打开高带速运行最高可达180mm/min且升温速率最高可达到8000℃/h的快速烧结炉并维持快速烧结炉的氮气环境, 所述氮气的流量为150L/min或200L/min;
S2、样品处理：沿样品的电极长轴或短轴方向切片；
S3、样品升温：送样品进快速烧结炉并调节升温速率为3000~8000℃/h；
S4、样品保温：在温度达到800~1300℃时保温1~60min；
S5、样品降温：调节降温速率为3000~8000℃/h将完成S4步骤的样品降温至100℃以下可取出。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，S3步骤的升温速率优选5000℃/h。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，S4步骤的保温温度优选950℃或1000℃或1050℃。
4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，S4步骤的保温时间优选10min。
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