[发明专利]显示面板及其制作方法、终端设备有效
| 申请号: | 202111428818.X | 申请日: | 2021-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN113851520B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
| 发明(设计)人: | 安亚斌;屈维;张峰 | 申请(专利权)人: | 荣耀终端有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1333;G02F1/1345 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 鲁迪娟;黄健 |
| 地址: | 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 终端设备 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区和围绕所述显示区的边框区,所述边框区包括第一周边区、弯折区和绑定区,所述第一周边区、所述弯折区和所述绑定区依次远离所述显示区设置,所述绑定区通过所述弯折区弯折至所述显示面板的背光侧;
所述显示面板包括:刚性衬底、设置在所述刚性衬底上的驱动电路层,以及依次远离所述刚性衬底设置的第一有机层结构、导电层和第二有机层结构;
所述刚性衬底和所述驱动电路层避开所述弯折区设置;所述第一有机层结构、所述导电层和所述第二有机层结构,至少分布在所述第一周边区、所述弯折区和所述绑定区,所述第一周边区处的所述第一有机层结构位于所述驱动电路层远离所述刚性衬底的一侧;
所述显示面板还包括设置在所述第一有机层结构与所述导电层之间的第一无机层结构;
所述第一无机层结构包括至少一层无机层,且所述第一无机层结构至少分布在所述第一周边区、所述弯折区和所述绑定区;所述无机层的材料为氮化硅或氧化硅。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述边框区还包括第二周边区、第三周边区和第四周边区,所述第一周边区与所述第三周边区位于所述显示区相对的两侧,所述第二周边区和所述第四周边区均位于所述第一周边区与所述第三周边区之间,且所述第二周边区与所述第四周边区也位于所述显示区相对的两侧;
所述第一有机层结构和所述第一无机层结构还分布在所述显示区、所述第二周边区、所述第三周边区和所述第四周边区。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电层包括多条连接引线,所述连接引线的一端通过贯穿所述第一无机层结构和所述第一有机层结构的第一过孔,与所述驱动电路层中的信号线连接,所述连接引线的另一端还通过贯穿所述第二有机层结构的第二过孔,与设置在所述绑定区的驱动芯片连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为LCD显示面板,所述导电层和所述第二有机层结构避开所述显示区设置;
所述信号线还延伸至所述第一周边区,所述第一过孔位于所述第一周边区内。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为OLED显示面板,所述导电层和所述第二有机层结构还分布在所述显示区;
所述信号线还延伸至所述第一周边区,所述第一过孔位于所述第一周边区内;或者,所述第一过孔位于所述显示区内。
6.根据权利要求4或5所述的显示面板,其特征在于,所述边框区还包括第二周边区、第三周边区和第四周边区,所述第一周边区与所述第三周边区位于所述显示区相对的两侧,所述第二周边区和所述第四周边区均位于所述第一周边区与所述第三周边区之间,且所述第二周边区与所述第四周边区也位于所述显示区相对的两侧;
所述导电层和所述第二有机层结构还分布在所述第二周边区、所述第三周边区和所述第四周边区。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机层结构和所述第二有机层结构均包括至少一层有机层。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机层结构包括多层有机层,所述显示面板还包括设置在相邻两层有机层之间的第二无机层结构;
所述第二无机层结构包括至少一层无机层,且所述第二无机层结构至少分布在所述第一周边区、所述弯折区和所述绑定区。
9.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
阳极层,所述阳极层分布在所述显示区,且位于所述第二有机层结构远离所述刚性衬底的一侧;
像素界定层,所述像素界定层至少分布在所述显示区、所述第一周边区、所述弯折区和所述绑定区,且所述像素界定层位于所述第二有机层结构远离所述第一有机层结构的一侧。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括粘接层,所述粘接层位于所述绑定区处的刚性衬底与所述显示区处的刚性衬底之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





