[发明专利]一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质

权利要求书

1.一种有源像素图像传感器，其特征在于，所述有源像素图像传感器包括：

光电二极管PD柱；

所述PD柱，用于吸收RGB单色光，并将对应的光信号转换成电信号；所述PD柱的尺寸基于所述RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定。

2.根据权利要求1所述的有源像素图像传感器，其特征在于，所述有源像素图像传感器还包括：

与所述PD柱连接的场效应管；

所述场效应管，用于读出所述电信号并复位。

3.根据权利要求1所述的有源像素图像传感器，其特征在于，所述PD柱的形状至少包括长方形、圆形、平行四边形和菱形。

4.根据权利要求2所述的有源像素图像传感器，其特征在于，所述场效应管包括控制门和浮栅，所述控制门和所述浮栅之间设置隔离带，所述控制门与所述场效应管的栅极连接。

5.根据权利要求4所述的有源像素图像传感器，其特征在于，

所述控制门，用于通过加正向偏压将所述电信号聚集到n+区；当所述正向偏压高于第一电压时，将n+区的电信号转移到所述浮栅中，所述第一电压为n+区和浮栅之间隧穿时的电压；在漏极加正向偏压，记录所述控制门的电压；当所述控制门的电压高于所述浮栅的阈值电压时，读出所述电信号的信号电平，所述阈值电压由光信号的信号强度确定。

6.根据权利要求4所述的有源像素图像传感器，其特征在于，

所述控制门，还用于加反向偏压，当所述反向偏压大于预设电压阈值时，将所述电信号从所述浮栅中转移到n+区，以进行复位操作。

7.根据权利要求1所述的有源像素图像传感器，其特征在于，所述场效应管为浮栅金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

8.根据权利要求1所述的有源像素图像传感器，其特征在于，所述PD柱的n区和场效应管的p型衬底连接。

9.一种图像处理方法，其特征在于，应用于有源像素图像传感器，所述有源像素图像传感器包括PD柱，所述方法包括：

利用所述PD柱吸收RGB单色光，并将对应的光信号转换成电信号；所述PD柱的尺寸基于所述RGB单色光的共振波长和所述光信号的折射率确定。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述有源像素图像传感器还包括与所述PD柱连接的场效应管，所述方法包括：

利用所述场效应管读出所述电信号，并利用所述场效应管进行复位操作，以对所述电信号进行图像处理，得到对应的图像，所述场效应管用于读出所述电信号并复位。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述场效应管包括控制门和浮栅，所述利用所述场效应管读出所述电信号，包括：

通过为所述控制门加正向偏压，将所述电信号聚集到n+区；

当所述正向偏压高于第一电压时，将n+区的电信号转移到所述浮栅中，所述第一电压为n+区和浮栅之间隧穿时的电压；

在漏极加正向偏压，记录所述控制门的电压；

当所述控制门的电压高于所述浮栅的阈值电压时，读出所述电信号的信号电平，所述阈值电压由光信号的信号强度确定。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述利用所述场效应管进行复位操作，包括：

向所述控制门加反向偏压；

当所述反向偏压大于预设电压阈值时，将所述电信号从所述浮栅中转移到n+区，以进行复位操作。

13.一种存储介质，其上存储有计算机程序，应用于有源像素图像传感器，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求9-12任一项所述的方法。