[发明专利]一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2

权利要求书

1.一种CdS薄膜的制备方法，CdS薄膜用于Sb₂(S,Se)₃太阳能电池，其特征在于：包括如下步骤：

（1）预制薄层CdS基片CdS_(Eva)：将清洗后的FTO导电玻璃导电面朝上，

放入臭氧处理机中进行处理，将处理过后的FTO导电玻璃置于热蒸发的模板上，FTO导电面朝下，再将模板放置在蒸发腔室中，与此同时放入CdS粉料；关闭腔室门，启动程序开始蒸发，从而得到预制薄层CdS基片，蒸发厚度参数为0.2至0.6 KÅ；

（2）CdS薄膜的制备CdS_(CBD)：将步骤（1）的预制薄层CdS基片竖直贴在玻璃背板上，再放置入装有硫脲、硫酸镉和氨水的混合溶液的石英方缸内水浴反应。

2.根据权利要求1所述的CdS薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中FTO导电玻璃的清洗：依次使用去离子水、丙酮、异丙醇和乙醇超声处理；超声完毕使用流动的N₂将FTO导电玻璃逐片吹干备用；

和/或，步骤（1）中热蒸发的工艺程序设置真空度最高为6×10^-6 Pa，于600℃开始蒸发。

3.根据权利要求1所述的CdS薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中热蒸发的工艺程序设置真空度最高为6×10^-6 Pa，于600℃开始蒸发。

4.根据权利要求1所述的CdS薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中水浴反应所需混合溶液由去离子水、0.75 M硫脲溶液、0.015 M硫酸镉溶液和25%-28%的氨水溶液配置而成，混合溶液中硫脲溶液、硫酸镉溶液和氨水溶液三种溶液的含量控制在总混合溶液体积的10%至15%。

5.根据权利要求1所述的CdS薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）水浴反应温度为65℃至80℃，反应时间为7至16 min。

6.一种Sb₂(S,Se)₃太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池的结构为Glass/FTO/CdS_(Eva)/CdS_(CBD)/Sb₂(S,Se)₃/Spiro-OMeTAD/Au，其中CdS_(Eva) 结构层和CdS_(CBD) 结构层分别通过如权利要求1至5中任一项所述的CdS薄膜的制备方法的步骤（1）、步骤（2）制得。