[发明专利]远紫外222nm准分子灯及其制造方法

权利要求书

1.一种远紫外222nm准分子灯，其特征在于，包括：

阳极，其至少有一个连接点连接到电源的正极；

第一绝缘体，位于距所述阳极预定高度或距离处，以形成间隙或腔室；

连接盖，用于将所述第一绝缘体的侧边与所述阳极连接以覆盖所述间隙或腔室；

阀门，位于所述连接盖的一侧，连接所述第一绝缘体侧和所述阳极，用于将气体注入所述间隙或腔室；

阴极，位于所述第一绝缘体的外表面上，其长度和/或宽度等于所述阳极，且具有金属丝网形状，并且还具有连接到所述电源的负极的至少一个连接点。

2.根据权利要求1所述的远紫外222nm准分子灯，其特征在于：所述阴极的所述金属丝网形状为正方形、或三角形、或六边形。

3.根据权利要求1所述的远紫外222nm准分子灯，其特征在于：所述第一绝缘体和所述阳极之间形成的所述间隙或腔室的所述预定高度或距离为0.5mm至5mm；

所述第一绝缘体为石英或玻璃；

所述阴极和阳极的厚度为0.02mm至0.3mm。

4.一种远紫外222nm准分子灯，其特征在于，包括：

阳极，其至少有一个连接点连接到电源的正极；

第一绝缘体，位于所述阳极顶部；

第二绝缘体，位于距所述第一绝缘体预定高度或距离处，以形成间隙或腔室；

连接盖，将所述第一绝缘体的侧边与所述第二绝缘体连接以覆盖所述间隙或腔室；

阀门，位于所述第一绝缘体的侧边与所述第二绝缘体连接的所述连接盖的一侧，用于将气体注入所述间隙或腔室；

阴极，位于所述第一绝缘体的外表面上，其长度和/或宽度等于所述阳极，且具有金属丝网形状，并且还具有连接到所述电源的负极的至少一个连接点。

5.根据权利要求4所述的远紫外222nm准分子灯，其特征在于：所述阴极的所述金属丝网形状为三角形、或矩形、或六边形。

6.根据权利要求4所述的远紫外222nm准分子灯，其特征在于：所述第二绝缘体和所述第一绝缘体之间形成的所述间隙或腔室的所述预定高度或距离为0.5mm至5mm；

所述第一绝缘体和所述第二绝缘体为石英或玻璃；

所述阴极和所述阳极的厚度为0.02mm至0.3mm。

7.一种远紫外222nm准分子灯制造方法，其特征在于，包括：

在所述准分子灯内形成阳极，其至少有一个连接点连接到电源的正极；

将第一绝缘体放置于距所述阳极预定高度或距离处，以形成间隙或腔室；

用连接盖连接所述第一绝缘体的侧边与所述阳极的侧边以覆盖所述间隙或腔室；

将阀门放置于将所述第一绝缘体侧与所述阳极连接的所述连接盖的一侧，用于将气体注入所述间隙或腔室；

将阴极形成于所述第一绝缘体的外表面上，其长度和/或宽度与所述阳极相同，且具有金属丝网形状，并且还具有连接到所述电源的负极的至少一个连接点；

其中，所述阴极通过电沉积工艺形成，包括：

通过电子导电介质将电源的所述正极连接到阴极基材，将电源的负极连接到所述第一绝缘体的所述外表面，将所述阴极基材熔化到所述第一绝缘体的所述外表面上，从而在所述第一绝缘体的所述外表面上形成生长阴极层；

用掩膜涂覆所述生长阴极层的外表面，以在所述生长阴极层上形成所述金属丝网形状，所述生长阴极层位于所述第一绝缘体的所述外表面之上；

将已涂覆有掩膜的所述生长电极层浸入第一蚀刻溶液中预定时间，以去除非掩膜的生长电极层；

通过将所述掩膜浸入第二蚀刻溶液中，并从所述生长电极层去除所述掩膜，从而在所述第一绝缘体上方的所述阴极上形成所述金属丝网形状。