[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

第一基板；

第一主动元件，位于该第一基板上；

阻障层，位于该第一主动元件上；

第一感光元件，位于该阻障层上；

平坦层，位于该第一感光元件上，且该第一感光元件位于该阻障层与该平坦层之间；以及

第一发光二极管，位于该平坦层上，且包括：

第一电极，电连接至该第一主动元件，其中该第一感光元件在该第一基板的法线方向上不被该第一电极完全遮蔽；

发光层，位于该第一电极上；以及

第二电极，位于该发光层上。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一发光二极管还包括：

透明电极，位于该平坦层上，且在该第一基板的该法线方向上至少部分重叠于该第一感光元件，其中该第一电极形成于该透明电极上，且该第一电极通过该透明电极而电连接至该第一主动元件。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中该发光层自该第一电极的顶面沿着该第一电极的开口的侧壁延伸至该透明电极的顶面，且该发光层接触该透明电极的顶面的部分定义为感测区，且该发光层接触该第一电极的顶面的部分定义为发光区，其中该感测区在该第一基板的该法线方向上重叠于该第一感光元件。

4.如权利要求3所述的发光装置，其中该发光区环绕该感测区。

5.如权利要求3所述的发光装置，还包括：

第二基板，在该第一基板的该法线方向上重叠于该第一基板，且该第一发光二极管位于该第一基板与该第二基板之间；

反射层，位于该第二基板上，且在该第一基板的该法线方向上不重叠于该发光区与该感测区；

钝化层，位于该反射层上；以及

抗反射层，位于该钝化层上，其中该抗反射层在该第一基板的该法线方向上不重叠于该发光区与该感测区。

6.如权利要求5所述的发光装置，其中该反射层具有第一通孔，该第一通孔在该第一基板的该法线方向上重叠于该发光区以及该感测区，该抗反射层具有第二通孔，该第二通孔在该第一基板的该法线方向上重叠于该发光区以及该感测区。

7.如权利要求2所述的发光装置，其中该发光层自该第一电极的顶面沿着该第一电极的侧壁延伸至该透明电极的顶面，且该发光层接触该透明电极的顶面的部分定义为感测区，且该发光层接触该第一电极的顶面的部分定义为发光区，其中该感测区在该第一基板的该法线方向上重叠于该第一感光元件。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中该感测区位于该发光区的一侧。

9.如权利要求7所述的发光装置，还包括：

第二基板，在该第一基板的该法线方向上重叠于该第一基板，且该第一发光二极管位于该第一基板与该第二基板之间；以及

反射层，位于该第二基板上，且在该第一基板的该法线方向上重叠于该感测区；

钝化层，位于该反射层上；以及

抗反射层，位于该钝化层上，其中该抗反射层在该第一基板的该法线方向上不重叠于该发光区与该感测区。

10.如权利要求9所述的发光装置，其中该反射层具有第一通孔，该第一通孔在该第一基板的该法线方向上重叠于该发光区，该抗反射层具有第二通孔，该第二通孔在该第一基板的该法线方向上重叠于该发光区以及该感测区。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光区的面积与该感测区的面积的比值为1～2000。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一电极的厚度为1纳米至500纳米，且该透明电极的厚度为1纳米至500纳米。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一电极的材料包括金属，且该透明电极的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟镓锌氧化物。