[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板。薄膜晶体管包括第一半导体层。第一半导体层的材料为MInOx，其中，M选自钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的至少一种。本申请的薄膜晶体管通过采用稀土掺杂的氧化铟作为有源层材料，能够提高光照稳定性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板。

背景技术

有源矩阵驱动的LCD(Liquid Crystal Display)显示技术利用了液晶的双极性偏振特点，通过施加电场控制液晶分子的排列方向，实现对背光源光路行进方向的开关作用。LCD中一般采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)来控制每个像素内的电场。TFT中常用的半导体材料包括非晶硅、氧化物和多晶硅等。其中，氧化物半导体由于较高的迁移率和较为简化的工艺，在大尺寸、高分辨率和高刷新率等高阶显示技术中具有独一无二的优势，被广泛用作有源层的材料。

但氧化物半导体，例如，IGZO受光照比较敏感，光照下容易产生光生载流子，光照稳定性差。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种能够提高光照稳定性的薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板。

本申请提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层的材料为MInOx，其中，M选自钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的至少一种。

在一种实施方式中，MInOx中M的摩尔百分比为0.1％至20％。

在一种实施方式中，MInOx中M的摩尔百分比为2％至5％。

在一种实施方式中，所述薄膜晶体管还包括第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层层叠设置，所述第一半导体层的迁移率小于所述第二半导体层的迁移率，所述第一半导体层的带隙宽度大于所述第二半导体层的带隙宽度。

在一种实施方式中，所述薄膜晶体管为底栅型晶体管，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离或者靠近栅极的一侧；或者

所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离栅极的一侧。

在一种实施方式中，所述薄膜晶体管为背沟道刻蚀型晶体管，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离所述栅极的一侧。

在一种实施方式中，所述第二半导体层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锌锡、氧化铟铝锌、氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铝锌、氧化锑锡、氧化镓锌、氧化铝镓锌、氧化锌中的一种。

在一种实施方式中，所述薄膜晶体管为背沟道刻蚀型晶体管，所述薄膜晶体管还包括第二半导体层，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离栅极的一侧，所述第一半导体层的材料为NdInOx或者ScInOx，其中，MInOx中Nd和Sc的摩尔百分比均为2％至5％，所述第二半导体层的材料为氧化铟镓锌。

本申请还提供一种阵列基板，其包括如上所述的薄膜晶体管。

本申请还提供一种显示面板，其包括如上所述的阵列基板和对向基板，所述阵列基板与所述对向基板相对设置。

本申请通过在薄膜晶体管通过采用稀土掺杂的氧化铟作为有源层材料，其带隙较宽，光照稳定性高，能够提高薄膜晶体管的光照稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请第一实施方式的显示面板的结构示意图。