[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示面板在审
| 申请号： | 202111295013.2 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114122142A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 史文 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 黄舒悦 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 以及 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一半导体层，所述第一半导体层的材料为MInOx，其中，M选自钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥中的至少一种。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，MInOx中M的摩尔百分比为0.1％至20％。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，MInOx中M的摩尔百分比为2％至5％。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层层叠设置，所述第一半导体层的迁移率小于所述第二半导体层的迁移率，所述第一半导体层的带隙宽度大于所述第二半导体层的带隙宽度。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述薄膜晶体管为底栅型晶体管，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离或者靠近栅极的一侧；或者
所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离栅极的一侧。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为背沟道刻蚀型晶体管，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离所述栅极的一侧。
7.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锌锡、氧化铟铝锌、氧化铟镓锌、氧化铟镓锡、氧化铝锌、氧化锑锡、氧化镓锌、氧化铝镓锌、氧化锌中的一种。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为背沟道刻蚀型晶体管，所述薄膜晶体管还包括第二半导体层，所述第一半导体层设置于所述第二半导体层远离栅极的一侧，所述第一半导体层的材料为NdInOx或者ScInOx，其中，MInOx中Nd和Sc的摩尔百分比均为2％至5％，所述第二半导体层的材料为氧化铟镓锌。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的薄膜晶体管。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板和对向基板，所述阵列基板与所述对向基板相对设置。
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