[发明专利]具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111281199.6 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN113725213B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 213002 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 补偿 可控硅 结构 瞬态 电压 抑制 保护 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括N型衬底(1)，其特征在于，
在所述N型衬底(1)中的顶部间隔一个距离制作有左P型阱(2)和右P型阱(3)；在所述左P型阱(2)中形成有第一P+注入区(201)和第一N+注入区(202)，第一N+注入区(202)位于第一P+注入区(201)的右侧；在所述右P型阱(3)中形成有第二P+注入区(301)和第二N+注入区(302)，第二N+注入区(302)位于第二P+注入区(301)的左侧；
在左P型阱(2)和右P型阱(3)的中间、左P型阱(2)的外侧以及右P型阱(3)的外侧分别制作有第一N型阱(4)、第二N型阱(5)和第三N型阱(6)，左P型阱(2)分别与其两侧的第二N型阱(5)和第一N型阱(4)相交，右P型阱(3)分别与其两侧的第一N型阱(4)和第三N型阱(6)相交；左P型阱(2)与其两侧N型阱的相交区、右P型阱(3)与其两侧N型阱的相交区分别形成由于杂质补偿所形成的中性区(7)；
所述第一P+注入区(201)和第一N+注入区(202)通过第一金属(8)相连形成器件阳极和阴极其中之一，所述第二P+注入区(301)和第二N+注入区(302)通过第二金属(9)相连形成器件阳极和阴极其中之另一；
最左侧的中性区(7)与第一P+注入区(201)相切，最右侧的中性区(7)与第二P+注入区(301)相切。
2.如权利要求1所述的具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，
所述左P型阱(2)、右P型阱(3)、第一N型阱(4)、第二N型阱(5)和第三N型阱(6)的掺杂浓度相同。
3.如权利要求1所述的具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，
所述左P型阱(2)、右P型阱(3)、第一N型阱(4)、第二N型阱(5)和第三N型阱(6)的结深相同。
4.一种具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S10，提供N型衬底(1)，在所述N型衬底(1)中的顶部间隔一个距离分别制作左P型阱(2)和右P型阱(3)；
步骤S20，在左P型阱(2)和右P型阱(3)的中间、左P型阱(2)的外侧以及右P型阱(3)的外侧分别制作相同剂量的第一N型阱(4)、第二N型阱(5)和第三N型阱(6)，并同时退火推结；左P型阱(2)分别与其两侧的第二N型阱(5)和第一N型阱(4)相交，右P型阱(3)分别与其两侧的第一N型阱(4)和第三N型阱(6)相交；左P型阱(2)与其两侧N型阱的相交区、右P型阱(3)与其两侧N型阱的相交区分别形成由于杂质补偿所形成的中性区(7)；
步骤S30，在左P型阱(2)中通过离子注入分别形成第一P+注入区(201)和第一N+注入区(202)，第一N+注入区(202)位于第一P+注入区(201)的右侧；在右P型阱(3)中通过离子注入分别形成第二P+注入区(301)和第二N+注入区(302)，第二N+注入区(302)位于第二P+注入区(301)的左侧；
步骤S40，将第一P+注入区(201)和第一N+注入区(202)通过第一金属(8)相连形成器件阳极和阴极其中之一，将第二P+注入区(301)和第二N+注入区(302)通过第二金属(9)相连形成器件阳极和阴极其中之另一；
最左侧的中性区(7)与第一P+注入区(201)相切，最右侧的中性区(7)与第二P+注入区(301)相切。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
