[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202111243099.4 | 申请日: | 2021-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN114023792A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 张伟彬;刘红 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置。显示装置包括基板、遮蔽层、半导体层、以及第一栅极层。遮蔽层设置在基板的一侧。半导体层设置在遮蔽层远离基板的一侧,遮蔽层与半导体层至少部分重叠设置。第一栅极层设置在半导体层远离基板的一侧。第一栅极层与半导体层至少部分重叠设置,且与所述遮蔽层电连接。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是一种显示装置。
背景技术
有机发光晶体管屏幕,例如有源矩阵有机发光二极管(active-matrix organiclight-emitting diode,AMOLED)在中小尺寸显示器中已被广泛应用。AMOLED屏幕具有轻便,色域值高的优点。由于AMOLED屏幕是以薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)控制的电流驱动,因此TFT的信赖性要求较高。一般来说,TFT下方设置有机柔性基板,例如聚酰亚胺柔性基板,受到有机柔性基板上电荷等影响,造成TFT信赖性较差,例如产生迟滞(hysteresis)现象。
而在习知的技术中,遮蔽层通常是以浮接(floating)方式设置的。此种设置方式屏蔽效果差,且寄生电容增加,功耗增加,容易使得TFT的电性偏移,造成AMOLED屏幕的问题较多,且透过率低。
另外,于习知技术中亦有将遮蔽层接入工作电压(Vdd),例如接入4.6V的工作电压。此种方式容易影响TFT的阈值电压(threshold voltage,Vth),使得寄生电容增加,造成AMOLED屏幕运行时的负载增加,透过率下降。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请将遮蔽层设置于薄膜晶体管下方,并与薄膜晶体管的栅极相连接。此种方式可以有效屏蔽柔性基板电荷对薄膜晶体管的影响,改善薄膜晶体管的信赖性,并增大薄膜晶体管的导通电流。
基于上述目的,本申请提供一种显示装置,包括基板、遮蔽层、半导体层、以及第一栅极层。遮蔽层设置在基板的一侧。半导体层设置在遮蔽层远离基板的一侧,遮蔽层与半导体层至少部分重叠设置。第一栅极层设置在半导体层远离基板的一侧。第一栅极层与半导体层至少部分重叠设置,且与所述遮蔽层电连接。
在本申请的一实施例中,显示装置包括驱动电路,每个驱动电路包括多个薄膜晶体管。各薄膜晶体管包括在半导体层对应设置的半导体部。至少部分薄膜晶体管的半导体部与遮蔽层重叠设置。
在本申请的一实施例中,每个驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管的半导体部与遮蔽层重叠设置。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的晶体管类型不同。
在本申请的一实施例中,第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管;第二薄膜晶体管为低温多晶氧化物薄膜晶体管,第二薄膜晶体管的半导体部与所述遮蔽层不重叠设置。
在本申请的一实施例中,半导体部包括与第一栅极层重叠设置的沟道区,至少部分薄膜晶体管的沟道区与遮蔽层重叠设置。
在本申请的一实施例中,遮蔽层与半导体层重叠的部分与第一栅极层与半导体层重叠的部分具有相同的形状。
在本申请的一实施例中,遮蔽层与第一栅极层具有相同的形状。
在本申请的一实施例中,显示装置更包括缓冲层以及多个功能层。缓冲层设置于基板上并覆盖遮蔽层。半导体层设置于缓冲层上。多个功能层设置于缓冲层上且覆盖半导体层。
在本申请的一实施例中,连接孔定义于至少一个多个功能层及缓冲层中,第一栅极层透过连接孔与所述遮蔽层连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111243099.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于指标成分分析的百合饮片汤剂的制备方法
- 下一篇:电磁式触控显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





