[发明专利]一种酸抛光刻蚀机的改造方法、采用酸抛光刻蚀机去除硅片表面磷硅玻璃的方法及设备

说明书

本申请提供一种酸抛光刻蚀机的改造方法、采用酸抛光刻蚀机去除硅片表面磷硅玻璃的方法及设备，属于硅片加工工艺领域。酸抛光刻蚀机的改造方法包括将螺牙滚轮更换为粘液滚轮，并在刻蚀槽内设置用于与磷硅玻璃反应的药液，且粘液滚轮在高度方向的1/3～2/3浸入刻蚀槽的药液中。粘液滚轮包括多个间隔布置的环形槽，环形槽的深度为0.5～1mm。本申请的酸抛光刻蚀机能够在原酸抛光工艺升级为碱抛光工艺后，将原酸抛光刻蚀机改造成为能够用于去除硅片的磷硅玻璃，从而与新的碱抛光刻蚀机配合使用，减少购买新的用于去除硅片的磷硅玻璃的设备，减少技改成本。

技术领域

本申请涉及硅片加工工艺领域，具体而言，涉及一种酸抛光刻蚀机的改造方法、采用酸抛光刻蚀机去除硅片表面磷硅玻璃的方法及设备。

背景技术

传统链式刻蚀设备只能适配酸抛光刻蚀工艺，酸抛光刻蚀工艺搭配TMAH抛光剂，其N污染严重，对生产成本及危废环保成本要求较高。新的碱抛刻蚀工艺相较于酸抛光刻蚀工艺，其成本大幅下降，且更环保、效率更高，同时，新的碱抛刻蚀工艺在洁净度、能耗、智能制造等方面全面提成。

但是，新的碱抛刻蚀工艺需要配置去PSG设备使用。由于在扩散过程中氧的通入，硅片表面形成一层SiO₂，高温下POCl₃与O₂形成P₂O₅，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO₂中形成磷硅玻璃(PSG)。

这一薄层的磷硅玻璃的厚度很不均匀，不能充分被利用做减反，加上薄层中的富P原子对后道高温之后可能起到的负面影响，磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。另外，磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差，在PECVD工序将使镀的SIxNy容易发生脱落，降低电池的转换效率。

发明内容

本申请提供了一种酸抛光刻蚀机的改造方法、采用酸抛光刻蚀机去除硅片表面磷硅玻璃的方法及设备，其能够通过改造酸抛光刻蚀机实现对硅片的去除磷硅玻璃处理。

本申请的实施例是这样实现的：

在第一方面，本申请示例提供了一种酸抛光刻蚀机的改造方法，酸抛光刻蚀机具有刻蚀槽，刻蚀槽内具有可旋转的螺牙滚轮，其包括：将螺牙滚轮更换为粘液滚轮，并在刻蚀槽内设置用于与磷硅玻璃反应的药液，且粘液滚轮在高度方向的1/3～2/3浸入刻蚀槽的药液中。

粘液滚轮包括多个间隔布置的环形槽，环形槽的深度为0.5～1mm。

在上述技术方案中，通过本申请的酸抛光刻蚀机的改造方法将酸抛光刻蚀机改造后，能够使酸抛光刻蚀机用于去除硅片表面的磷硅玻璃。其中，粘液滚轮用于底部与药液接触，顶部与硅片接触，粘液滚轮在旋转后将其底部表面粘取的药液转移到硅片的底表面。

本申请的酸抛光刻蚀机能够在原酸抛光工艺升级为碱抛光工艺后，将原酸抛光刻蚀机改造成为能够用于去除硅片的磷硅玻璃，从而与新的碱抛光刻蚀机配合使用，减少购买新的用于去除硅片的磷硅玻璃的设备，减少技改成本。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第一种可能的示例中，上述粘液滚轮中任意相邻的两个环形槽的间距为1～3mm。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第二种可能的示例中，上述粘液滚轮的端部直径为30～35mm。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第三种可能的示例中，调整用于控制刻蚀槽的最高液面高度的液位调节板，以使当刻蚀槽中的药液处于最高液面高度时，粘液滚轮在高度方向的1/3～2/3浸入刻蚀槽的药液中。