[发明专利]基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器

权利要求书

1.基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器，由基本结构单元在xy平面内周期延拓而成，其特征在于：所述基本结构单元主要由上层三维立体井字形电阻膜结构与下层Non-foster有源平板结构组成；所述Non-foster有源平板结构从上到下分别包含介质层、铁氧体磁性材料层以及金属地板层；所述介质层上表面在xy方向上分别铺设有两条金属线，四条金属线构成十字形状，相同方向上的两条金属线之间连接有集总电阻元件；所述介质层下表面在xy方向上分别铺设有两条金属线，四条金属线构成十字形状，相同方向上的两条金属线之间连接有Non-foster电路；所述井字形电阻膜结构由PET介质片上覆盖导电碳薄膜构成，包括x方向相互平行的两块电阻膜片和与其垂直相交的y方向相互平行的两块电阻膜片；所述Non-foster电路为浮地型结构，电路版图采用四层layout设计，顶层为射频走线，第二层为参考地层，第三层为电源层，底层为去耦电路及直流偏置走线，其中层叠之间采用介质隔开。

2.根据权利要求1所述的基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器，其特征在于：所述井字形电阻膜结构的介质片的内外表面除交接处均覆盖有纳米级厚度的导电碳薄膜。

3.根据权利要求2所述的基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器，其特征在于：通过调整介质片的高度、电阻膜方阻、电阻膜缝隙调整吸波带宽。

4.根据权利要求1所述的基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器，其特征在于：所述Non-foster有源平板结构中的介质层上、下表面的四条金属线构成的十字形状的中心，以及井字形电阻膜结构的中心与基本结构单元的中心在同一垂直于xy平面的直线上。

5.根据权利要求1所述的基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器，其特征在于：同一基本结构单元的xy不同极化方向上的Non-foster电路在同一块PCB电路板上，通过在PCB板上打孔连接金属线。

6.根据权利要求5所述的基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器，其特征在于：同一行或同一列的所有基本结构单元的Non-foster电路集成在一块PCB电路板上。

7.一种用于根据权利要求1所述的基于Non-foster有源结构的三维超宽带双极化吸波器的优化方法，其特征在于：包括：整体结构在CST中建模，其中

Non-foster电路采用discrete port代替并在CST中进行仿真，将整体结构的S参数由CST导入ADS中与Non-foster电路联合仿真；Non-foster电路的PCB版图采用四层layout设计并在Altium Designer中完成绘制导入ADS中进行EM仿真后，在ADS中将CST导出的整体结构的S参数与Non-foster电路进行联合仿真优化。