[发明专利]半导体工艺设备及其阻抗匹配方法

权利要求书

1.一种应用于半导体工艺设备中的阻抗匹配方法，其特征在于，所述方法包括：

工艺准备步：获取当前存储的工艺起辉步对应的阻抗匹配数据，所述阻抗匹配数据包括所述半导体工艺设备阻抗匹配器中参数可调器件对应的参数调节位；根据所述参数调节位，调节所述参数可调器件；

工艺起辉步：通过所述阻抗匹配器向所述半导体工艺设备的工艺腔室加载射频功率，同时通过所述阻抗匹配器进行阻抗匹配，并在达到阻抗匹配时确定所述参数可调器件的当前参数调节位；根据所述当前参数调节位，更新所述阻抗匹配数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻抗匹配器的工作模式包括自动匹配模式和非自动匹配模式；

在所述工艺准备步中，将所述阻抗匹配器设置为所述非自动匹配模式；

在所述工艺起辉步中，将所述阻抗匹配器设置为所述自动匹配模式。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参数调节位包括第一参数调节位、参数修正值和第二参数调节位，所述第二参数调节位为所述第一参数调节位和所述参数修正值之和；

所述根据所述参数调节位，调节所述参数可调器件，包括：

根据所述第二参数调节位，调节所述参数可调器件。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述当前参数调节位，更新所述阻抗匹配数据，包括：

根据所述当前参数调节位，更新所述第一参数调节位；

根据更新后的所述第一参数调节位和所述参数修正值，更新所述第二参数调节位。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述参数调节位还包括预设参数匹配值；所述第二参数调节位为所述第一参数调节位、所述预设参数匹配值和所述参数修正值之和；

在根据所述第二参数调节位，调节所述参数可调器件后，所述阻抗匹配器的阻抗匹配信息满足预设条件；

所述阻抗匹配信息包括以下至少一项：阻抗匹配总时长、各所述工艺起辉步对应的所述阻抗匹配时长之间的差距；

所述预设条件包括以下至少一项：所述阻抗匹配总时长最短、各所述工艺起辉步对应的所述阻抗匹配时长之间的差距最小。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

确定所述参数可调器件对应的多个待筛选参数匹配值；

分别根据各所述待筛选参数匹配值对应的所述第二参数调节位调节所述参数可调器件的参数调节位；

在每次调节所述参数可调器件的参数调节位之后，进行一次起辉，确定各个所述待筛选参数匹配值对应的阻抗匹配时长；

根据确定的多个所述阻抗匹配时长，确定符合所述预设条件的所述阻抗匹配时长对应的所述待筛选参数匹配值为所述预设参数匹配值。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参数可调器件包括可调电容器和/或可调电感。

8.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括射频电源、阻抗匹配器和工艺腔室；其中，

所述射频电源，用于通过所述阻抗匹配器向所述工艺腔室加载射频功率；

所述阻抗匹配器包括控制器和参数可调器件，所述控制器，用于在工艺准备步中，获取当前存储的工艺起辉步对应的阻抗匹配数据，所述阻抗匹配数据包括所述半导体工艺设备阻抗匹配器中参数可调器件对应的参数调节位；根据所述参数调节位，调节所述参数可调器件；在工艺起辉步中，在所述射频电源通过所述阻抗匹配器向所述半导体工艺设备的工艺腔室加载射频功率时，调节所述参数可调器件以达到阻抗匹配，并在达到阻抗匹配时确定所述参数可调器件的当前参数调节位；根据所述当前参数调节位，更新所述阻抗匹配数据。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述阻抗匹配器的工作模式包括自动匹配模式和非自动匹配模式；

所述控制器，还用于在所述工艺准备步中，将所述阻抗匹配器设置为所述非自动匹配模式；在所述工艺起辉步中，将所述阻抗匹配器设置为所述自动匹配模式。

10.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述参数调节位包括第一参数调节位、参数修正值和第二参数调节位，所述第二参数调节位为所述第一参数调节位和所述参数修正值之和；

所述控制器，还用于根据所述第二参数调节位，调节所述参数可调器件。