[发明专利]一种用于高端印刷线路板的覆铜基板及其制备方法

权利要求书

1.一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，包括氮化硅陶瓷基板和覆接于氮化硅陶瓷基板至少一个表面的铜箔层，其特征在于：所述氮化硅陶瓷基板和铜箔层之间设置有界面结合层，所述界面结合层包括有导电膜层、金属应力层和焊接层；

所述用于高端印刷线路板的覆铜基板的制备方法，具体制备步骤如下：

步骤一：按照导电膜层的重量份原料称取聚酰亚胺树脂、纳米导热材料、润滑剂、填料和分散剂，并将称取的聚酰亚胺树脂、纳米导热材料和润滑剂均投入到分散剂中进行搅拌超声分散，分散完成后再将填料加入分散液中，混合完成后得到导电膜层料液备用；

步骤二：选取氮化硅陶瓷基板，并对选取的氮化硅陶瓷基板进行清洗，清洗完成后对氮化硅陶瓷基板的表面进行热氧化处理，然后将步骤一中的导电膜层料液涂覆在氮化陶瓷基板的表面，经过高温环化在氮化硅陶瓷基板表面形成导电膜层；

步骤三：将步骤二中得到的导电膜层先进行电晕处理，电晕处理完成后进行表面预处理，表面预处理完成后利用磁控溅射法将金属应力层中的原料均匀沉积在预处理后的导电膜层表面，对沉积的金属层进行电化学抛光处理，处理完成后放入电解液中进行阳极氧化，得到带有粗糙毛面的金属应力层；

步骤四：对选取的焊料片和铜箔层进行清理，然后将焊料片和铜箔层依次铺设在金属应力层的表面，然后利用夹具夹紧固定后送入真空钎焊炉中高温焊接，焊接完成后得到用于高端印刷线路板的覆铜基板。

2.根据权利要求1所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述氮化硅陶瓷基板的厚度为0.3-0.8mm，表面粗糙度为0.3-0.6μm，所述铜箔层为无氧铜，且所述无氧铜的纯度为99.99％以上，所述铜箔层的厚度为0.1-0.6mm，所述界面结合层的厚度为2-6um，所述导电膜层、金属应力层和焊接层的厚度比为1：(1.5-2)：(2.2-2.6)。

3.根据权利要求1所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述导电膜层包括以下重量份的原料：聚酰亚胺树脂40-60份、纳米导热材料10-18份、润滑剂1-3份、填料5-10份和分散剂50-80份，所述金属应力层为铜、铝、银中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述纳米导热材料中包括有纳米氮化铝、氧化镁和氧化铝，所述填料包括有滑石粉、二氧化硅、聚苯胺和聚吡咯，所述分散剂为N-甲基吡咯烷酮或N,N-二甲基乙酰胺。

5.根据权利要求4所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述纳米导热材料中纳米氮化铝、氧化镁与氧化铝的重量比为1：(1-1.5)：(1-1.5)，所述填料中滑石粉、二氧化硅、聚苯胺和聚吡咯的重量比为1：(1-1.2)：(0.6-0.8)：(0.6-0.8)。

6.根据权利要求1所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述步骤一中超声分散时的频率为100-140Hz，搅拌速率为400-600转/分钟，搅拌超声分散的时间为30-60min。

7.根据权利要求1所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述步骤二中对氮化硅陶瓷基板清理时先利用无水乙醇通过超声波清洗仪清洗10-15min，然后再利用去离子水冲洗3-6min，所述步骤二中热氧化处理时的温度为110-160℃，热氧化处理时在氮氧混合气气氛中进行，氮氧混合气的流量为0.2-3L/min，所述步骤二中高温环化时的温度为320-400℃。

8.根据权利要求1所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述步骤三中电晕处理时的功率为3-4kw，所述步骤三中表面预处理时将导电膜层浸泡于浓硫酸、浓硝酸或王水中，浸泡时间为5-10min，所述步骤三中金属应力层毛面的粗糙度为0.5-2.5。

9.根据权利要求1所述的一种用于高端印刷线路板的覆铜基板，其特征在于：所述步骤四中焊料片和铜箔层进行清理时依次利用无水乙醇、去离子水、碱性溶液、酸性溶液、去离子水进行冲洗，所述步骤四中真空高温焊接的焊接温度为800-950℃，真空度小于0.01Pa。