[发明专利]一种可控晶面取向的薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种可控晶面取向的薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括：

将飞秒激光聚集在衬底上，通过飞秒激光在所述衬底表面加工出三维结构阵列；

将飞秒激光聚集在所述三维结构阵列上，通过飞秒激光在所述衬底表面加工出三维超润湿模板阵列；

将水溶性晶体颗粒滴加到所述三维超润湿模板阵列上，并对所述衬底进行加热处理，得到可控晶面取向的薄膜材料；其中，所述三维结构阵列包括若干三维结构，所述若干三维结构的尺寸和形状由所述水溶性晶体颗粒的尺寸和形状确定；聚集在衬底上的飞秒激光满足：扫描速度为400mm/s，波长为535nm，功率为3000～5000mW，扫描次数为3～6次；聚集在三维结构阵列上的飞秒激光满足：扫描速度为400mm/s，波长为535nm，功率为1500～3000mW，扫描次数为1～2次。

2.根据权利要求1所述的可控晶面取向的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃、蓝宝石、石英和硅片中的一种。

3.根据权利要求1所述的可控晶面取向的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述将飞秒激光聚集在衬底上的步骤之前包括：

对衬底进行抛光处理；

对抛光处理后的衬底进行洗涤和干燥。

4.根据权利要求1所述的可控晶面取向的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述水溶性晶体颗粒为金属有机框架材料、磁性材料、氧化物和硫化物中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的可控晶面取向的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为30℃～80℃，所述加热处理的时间为5～10min。

6.根据权利要求1所述的可控晶面取向的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述若干三维结构的形状为半球形、四面体、八面体和十六面体中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的可控晶面取向的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述若干三维结构的高度为0.03～0.06mm，所述若干三维结构的长度和宽度大于或等于0.2mm且小于或等于所述水溶性晶体颗粒的长度和宽度。