[发明专利]电源动态响应的高精度检测方法及电路

权利要求书

1.一种电源动态响应的高精度检测方法，包括待测LDO电路(1)以及能与待测LDO电路(1)电源端适配连接的测试电源电路；其特征是：所述测试电源电路包括第一高精度低温漂功率电源(2)、第二高精度低温漂功率电源(3)以及高速功率开关S1，第一高精度低温漂功率电源(2)通过高速功率开关S1与待测LDO电路(1)的电源端适配连接，第二高精度低温漂功率电源(3)通过单向开关(4)与待测LDO电路(1)的电源端适配连接，第一高精度低温漂功率电源(2)输出的电源电压大于第二高精度低温漂功率电源(3)输出的电源电压；

高速功率开关S1导通时，第一高精度低温漂功率电源(2)能向待测LDO电路(1)的电源端加载第一测试电压；高速功率开关S1关断后，第二高精度低温漂功率电源(3)通过单向开关(4)能向待测LDO电路(1)的电源端加载第二测试电压；

控制高速功率开关S1在导通状态与关断状态循环切换时，以能将第一测试电压、第二测试电压循环加载到待测LDO电路(1)的电源端，根据所述待测LDO电路(1)在第一测试电压、第二测试电压下相应的工作状态，以能确定所述待测LDO电路(1)的电源动态响应；

所述单向开关(4)与高速功率开关S1以及待测LDO电路(1)电源端连接处能形成节点A，单向开关(4)与第二高度精度低温漂功率电源(3)的连接处形成节点B，高速功率开关S1的导通压降为V_ON1；单向开关(4)的导通压降为V_ON2，且单向开关(4)存在失调电压V_offset，且失调电压V_offset大于导通压降V_ON2；

当V_A≤V_B-V_offset时，则单向开关(4)导通，当V_A大于V_B-V_offset时，则单向开关(4)处于关断状态，其中，V_A为节点A的电压，V_B为节点B的电压值。

2.根据权利要求1所述电源动态响应的高精度检测方法，其特征是：所述高速功率开关S1的控制端与限流电阻R1的一端以及泄放回路(5)电连接，限流电阻R1的另一端能接收PWM控制信号，通过PMW控制信号能控制高速功率开关S1处于导通状态或关断状态，高速功率开关S1由导通状态切换为关断状态时，通过泄放回路(5)释放高速功率开关S1上电能的电荷。

3.根据权利要求1所述电源动态响应的高精度检测方法，其特征是：所述单向开关(4)包括电压比较器以及与所述电压比较器适配连接的失调电压电路与功率管电路，通过失调电压电路能设置得到失调电压V_offset；

所述电压比较器包括PMOS管P1，PMOS管P1的源极端与PMOS管P2的源极端、PMOS管P3的源极端以及电源电压VDD连接；PMOS管P1的栅极端与PMOS管P2的栅极端、PMOS管P1的漏极端以及NMOS管N1的漏极端连接，PMOS管P2的漏极端与PMOS管P3的栅极端以及NMOS管N2的漏极端连接；

NMOS管N1的源极端、NMOS管N2的源极端与NMOS管N4的漏极端连接，NMOS管N2的栅极端、PMOS管P2的漏极端、PMOS管P3的栅极端以及NMOS管N4的漏极端与失调电压电路适配连接；PMOS管P3的漏极端与功率管电路内的反相器INV1的输入端以及NMOS管N5的漏极端连接，NMOS管N4的源极端以及NMOS管N5的源极端均接地；

所述功率管电路还包括功率NMOS管PowerN1以及与与所述功率NMOS管PowerN1栅极端连接的反相器INV2，反相器INV2的输出端与功率NMOS管PowerN1的栅极端连接，反相器INV2的输入端与反相器INV1的输出端连接；

功率NMOS管PowerN1的漏极端与NMOS管N2的栅极端以及失调电压电路适配连接后能形成单向开关上连接端C，功率NMOS管PowerN1的源极端与NMOS管N1的栅极端连接后能形成单向开关下连接端D，单向开关(4)通过单向开关上连接端C能待测LDO电路(1)的电源端以及高速功率开关S1连接后能形成节点A，单向开关(4)通过单向开关下连接端D与第二高精度低温漂功率电源(3)相互连接后能形成节点B。