[发明专利]具有氮化铝膜层的基材的加工方法及滤波器的制备方法

说明书

本发明提供了一种具有氮化铝膜层的基材的加工方法及滤波器的制备方法。在执行湿法制程之后进行酸洗，并在酸洗后利用亲水性有机溶剂执行脱水处理，以去除氮化铝膜层上的水分，避免氮化铝和水发生化学反应而产生固体杂质，提高了氮化铝膜层的表面清洁度和平坦度，改善后续形成在氮化铝膜层上的薄膜品质。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有氮化铝膜层的基材的加工方法及滤波器的制备方法。

背景技术

氮化铝(AlN)为半导体领域内的一种常见加工材料，例如其可应用于滤波器中而用作压电膜层，或者也可以应用于发光二极管中而作为底衬层等。然而，针对含有氮化铝膜层的器件加工而言，常常会出现所制备出的当前氮化铝层存在外观异常，以及后续工艺中的膜层异常，并且还极易引发产品的电性测试异常以及可靠性变差等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有氮化铝膜层的基材的加工方法，以解决现有的氮化铝膜层在其加工过程中容易出现外观异常的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种具有氮化铝膜层的基材的加工方法包括：执行湿法制程，并在湿法制程后对所述基材进行酸洗；在进行酸洗之后，利用亲水性有机溶剂进行脱水处理以去除氮化铝表面上的水分；以及，对所述基材进行干燥处理，所述亲水性有机溶剂在干燥过程中挥发。

可选的，所述酸洗所采用的酸溶液的PH值例如可介于5.5-6.5之间。具体的，所述酸洗所采用的酸溶液可包括氢氟酸溶液或者碳酸溶液。

可选的，所述脱水处理包括：将所述基材浸入至所述亲水性有机溶剂；或者，喷洒所述亲水性有机溶剂至所述基材的表面。

可选的，所述亲水性有机溶剂包括醇类有机溶剂和/或醚类有机溶剂。

可选的，干燥处理的干燥温度例如为20℃-100℃。

可选的，所述湿法制程包括湿法刻蚀制程和/或湿法清洗制程。其中，所述湿法清洗包括化学溶液清洗和/或纯水清洗。

本发明的又一目的在于提供一种存储器的制备方法，包括：在一基材上依次形成底部电极、氮化铝压电层和顶部电极。其中，在形成所述氮化铝压电层之后，以及形成顶部电极之前还包括：采用如上所述的加工方法处理所述基材。

本发明提供的具有氮化铝膜层的基材的加工方法中，在湿法制程后对基板进行酸洗处理，此时若氮化铝膜层上已经产生有氢氧化铝，则通过酸洗即能够有效去除产生的氢氧化铝。以及，在酸洗后利用亲水性有机溶剂执行脱水处理，以去除氮化铝膜层上的水分，避免了残留的水分和氮化铝发生化学反应，尤其是可以防止干燥过程中残留的水分和氮化铝的反应加剧，提高了氮化铝膜层的表面清洁度和平坦度，进而可相应的改善后续形成在氮化铝膜层上的薄膜品质，提高基材上的产品良率及产品性能。并且，采用亲水性有机溶剂不仅能够实现对基材上的水分的快速去除，亲水性有机溶剂还能够在干燥过程中直接挥发，而不会对基材造成影响。

附图说明

图1为一种具有氮化铝膜层的基材的加工方法的流程示意图。

图2为利用图1所示的加工方法在其加工过程中的结构示意图。

图3为本发明一实施例中的具有氮化铝膜层的基材的加工方法的流程示意图。

图4为利用图3所示的加工方法在其加工过程中的结构示意图。

具体实施方式

承如背景技术所述，目前在含有氮化铝膜层的半导体加工中，容易出现当前膜层以及后续膜层的外观异常，进而影响产品的电性及可靠性。本发明的发明人通过对氮化铝膜层的加工工艺进行全面研究后，发现引发当前膜层及后续膜层的外观异常的一个重要原因在于：在对含有氮化铝膜层的基材进行湿法制程时，氮化铝的表面上即容易产生固体杂质。