[发明专利]高散热垂直腔面发射激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种高散热垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在外延生长前，将衬底正面的出光孔圈区域刻蚀至不超过衬底厚度，并于刻蚀位置沉积砷化铝层，所述衬底由砷化镓组成；

在所述衬底的沉积砷化铝层的一侧依次外延生长N-DBR层、MQW层和P-DBR层；

在所述P-DBR层靠近所述MQW层的一侧进行氧化工艺形成内部构成出光孔径的氧化层；

在所述P-DBR层远离所述MQW层的一侧形成接触层和环状的正面电极；

在所述衬底远离所述N-DBR层的一侧形成背面电极；

所述砷化铝层为环状，所述砷化铝层构成的环状内径小于或等于所述氧化层构成的出光孔径。

2.根据权利要求1所述的高散热垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，所述将衬底正面的出光孔圈区域刻蚀至不超过衬底厚度，并于刻蚀位置沉积砷化铝层的步骤，包括：

在提供的衬底正面涂覆光阻；

加光罩并曝光处理，以在所述衬底正面定义刻蚀区域，所述刻蚀区域与出光孔圈位置对应；

于所述刻蚀区域处对所述衬底进行刻蚀至不超过衬底厚度；

于所述衬底的被刻蚀位置处沉积呈环状的砷化铝层。

3.根据权利要求2所述的高散热垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底的被刻蚀位置处沉积呈环状的砷化铝层的步骤之后，还包括：

剥离涂覆的光阻以及位于所述光阻上的砷化铝材料；

对所述激光器进行清洗处理。

4.根据权利要求1所述的高散热垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，所述砷化铝层的深度为3um-200um。

5.根据权利要求1所述的高散热垂直腔面发射激光器的制作方法，其特征在于，所述衬底的厚度为500um-600um。

6.一种高散热垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底正面的出光孔圈区域具有刻蚀凹槽，所述衬底由砷化镓组成；

形成于所述衬底的刻蚀凹槽的砷化铝层；

依次外延生长形成于所述衬底的生长砷化铝层一侧的N-DBR层、MQW层和P-DBR层；

形成于所述P-DBR层靠近所述MQW层一侧的内部构成出光孔径的氧化层；

形成于所述P-DBR层远离所述MQW层一侧的接触层和环状的正面电极；

形成于所述衬底远离所述N-DBR层一侧的背面电极；

所述砷化铝层构成的环状内径小于或等于所述氧化层构成的出光孔径。

7.根据权利要求6所述的高散热垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述砷化铝层的深度为3um-200um。

8.根据权利要求6所述的高散热垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底的厚度为500um-600um。