[发明专利]基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件在审
| 申请号： | 202111025927.7 | 申请日： | 2021-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN113871478A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李琦;王磊;陈永和;姜焱彬;黄晓咪;杨保争;曾鹏;何智超;张锋 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 具有 沟道 特性 新型 半导体器件 | ||
1.基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，该新型半导体器件包括衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(5)、势垒层(6)、钝化层(7)、源极(8)、漏极(9)和顶部栅极(10)；衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(5)、势垒层(6)和钝化层(7)自下而上依次叠置；源极(8)和漏极(9)位于缓冲层(2)或沟道层(5)上方的两端，且源极(8)和漏极(9)为欧姆接触；顶部栅极(10)位于钝化层(7)，并处于源极(8)和漏极(9)之间；其特征是，该新型半导体器件还包括底部栅极(3)和P型掺杂区(4)；底部栅极(3)从衬底层(1)的底部一直延伸至缓冲层(2)的中下部；P型掺杂区(4)位于缓冲层(2)，并包覆在底部栅极(3)的外侧；底部栅极(3)和P型掺杂区(4)同时位于顶部栅极(10)的正下方。
2.根据权利要求1所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，底部栅极(3)和P型掺杂区(4)为肖特基接触。
3.根据权利要求1所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，顶部栅极(10)与底部栅极(3)控制同一沟道。
4.根据权利要求1所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，顶部栅极(10)与底部栅极(3)的对称中线重合。
5.根据权利要求1所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，顶部栅极(10)与底部栅极(3)的宽度一致。
6.基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，该新型半导体器件包括衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(5)、势垒层(6)、钝化层(7)、源极(8)、漏极(9)和顶部栅极(10)；衬底层(1)、缓冲层(2)、沟道层(5)、势垒层(6)和钝化层(7)自下而上依次叠置；源极(8)和漏极(9)位于缓冲层(2)或沟道层(5)上方的两端，且源极(8)和漏极(9)为欧姆接触；顶部栅极(10)位于钝化层(7)，并处于源极(8)和漏极(9)之间；其特征是，该新型半导体器件还包括底部栅极(3)和P型掺杂区(4)；底部栅极(3)位于衬底层(1)，P型掺杂区(4)位于缓冲层(2)的中下部，且底部栅极(3)的顶部与P型掺杂区(4)的底部相贴；底部栅极(3)和P型掺杂区(4)同时位于顶部栅极(10)的正下方。
7.根据权利要求6所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，底部栅极(3)和P型掺杂区(4)为肖特基接触。
8.根据权利要求6所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，顶部栅极(10)与底部栅极(3)控制同一沟道。
9.根据权利要求6所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，顶部栅极(10)与底部栅极(3)的对称中线重合。
10.根据权利要求6所述的基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，其特征是，顶部栅极(10)与底部栅极(3)的宽度一致。
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