[发明专利]显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 202111013428.6 | 申请日: | 2021-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN113745252B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
| 发明(设计)人: | 吴绍静 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;所述显示面板包括:
基板;
像素驱动电路层,设置于所述基板上且位于所述显示区,包括多个像素驱动电路;
第一平坦层,设置于所述像素驱动电路层远离所述基板的一侧;
第一导电层,设置于所述第一平坦层远离所述基板的一侧,并通过贯穿所述第一平坦层的第一通孔与相应的所述像素驱动电路电连接;
第二平坦层,设置于所述第一导电层远离所述基板的一侧;
第一电极,设置于所述第二平坦层远离所述基板的一侧,且通过贯穿所述第二平坦层的第二通孔与所述第一导电层电连接;
金属接触层,设置于所述像素驱动电路层远离所述基板的一侧,并设置在所述非显示区,所述金属接触层的边缘与所述第二平坦层的边缘之间具有间隙,所述金属接触层未覆盖所述第二平坦层;
发光层,设置于所述第一电极远离所述基板的一侧;以及
第二电极,设置于所述发光层远离所述基板的一侧,且在所述非显示区与所述金属接触层电连接;
所述非显示区包括第一非显示区和第二非显示区,所述第一非显示区位于所述显示区和所述第二非显示区之间,所述第二平坦层从所述显示区延伸至所述第一非显示区,所述金属接触层设置于所述第二非显示区;
沿所述显示区指向所述非显示区的方向上,所述间隙的尺寸大于或等于10微米;
所述金属接触层与所述第一电极具有相同的导电材质。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二导电层,设置于所述第二平坦层远离所述基板的一侧;以及
第三平坦层,设置于所述第二导电层远离所述基板的一侧,所述第一电极通过贯穿所述第三平坦层的第三通孔与所述第二导电层电连接,所述第二导电层通过所述第二通孔与所述第一导电层电连接,所述金属接触层的边缘与所述第三平坦层的边缘之间具有间隙。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第三导电层,设置于所述第三平坦层远离所述基板的一侧;以及
第四平坦层,设置于所述第三导电层远离所述基板的一侧,所述第一电极通过贯穿所述第四平坦层的第四通孔与所述第三导电层电连接,所述第三导电层通过所述第三通孔与所述第二导电层电连接;所述金属接触层的边缘与所述第四平坦层的边缘具有间隙。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光层包括多个发光像素;所述显示面板包括多个设置于所述显示区的第一通气孔,所述第一通气孔设置于相邻的所述发光像素所对应的所述第一电极之间,且其一端延伸至所述第一电极,其另一端贯穿所述第二平坦层。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一通气孔靠近所述非显示区设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属接触层上设置有多个间隔排布的第二通气孔,所述第二通气孔贯穿所述金属接触层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二通气孔靠近所述显示区设置。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路层包括:
半导体层,设置于所述基板上;
栅极绝缘层,覆于所述半导体层上;
第一栅极层,设置于所述栅极绝缘层上;
第一层间绝缘层,覆于所述第一栅极层及所述栅极绝缘层上;
第二栅极层,设置于所述第一栅极层上;
第二层间绝缘层,覆于所述第二栅极层及所述第一层间绝缘层上;
源漏极金属层,设置于所述第二层间绝缘层上,所述第一导电层通过所述第一通孔与所述源漏极金属层电连接;以及
所述第一平坦层,设置于所述源漏极金属层上。
9.根据权利要要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述非显示区的电源信号线,所述电源信号线与所述源漏极金属层同层设置,所述金属接触层与所述电源信号线电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





