[发明专利]一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池

说明书

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，对具有PN结的硅衬底进行退火形成靠近N区的氧化硅薄膜，制备靠近P区的背面钝化膜后，再在硅衬底靠近氧化硅薄膜的一侧制备透明导电薄膜，并在透明导电薄膜上采用不含玻璃粉的正面栅线浆料制备正面电极前体，再在正面电极前体侧制备正面钝化膜，采用正面焊盘浆料在正面钝化膜上预设位置制备正面焊盘前体，再烧结形成正面电极、正面焊盘。其中，透明导电薄膜的电阻率低于硅基体，从而能够减少电流横向收集时的损耗，正面电极不与硅衬底直接接触，正面电极采用不含玻璃粉的正面栅线浆料制备，不会导致PN结漏电，从而降低太阳能电池的复合损耗，提升电池效率。

技术领域

本申请涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池。

背景技术

太阳能电池技术的发展方向是降低成本、提高效率，其中，提高太阳电池的光电转换效率是降低成本的有效途径。全铝背场P型太阳电池的背面金属电极和硅形成全铝背场，其金属电极与硅接触区域有较高的复合损耗，且全铝背场的长波反射率较低，导致光学损失较高，从而影响太阳电池的效率。

目前，采用在背面金属电极与硅接触界面加入氧化铝/氮化硅复合钝化膜的方案，减少金属与硅接触接触区域的复合损耗，并提高了长波反射率，从而提高了太阳能电池的效率。

上述工艺虽然降低了太阳能电池背面金属与硅基体的复合速率，但是采用SE(Seletive Emitter，选择性发射极)工艺制备的太阳能电池，其正面选择性发射极的复合损耗依然较高，且金属电极与硅基体之间的复合损耗也有待进步提升，上述工艺对太阳能电池的效率的提升有限。

发明内容

本申请提供一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，旨在降低太阳能电池正面选择性发射极的复合损耗，进一步提升太阳能电池的效率。

第一方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，该方法可以包括：

提供具有PN结的硅衬底；

对所述硅衬底进行退火，在所述硅衬底靠近N区的一侧形成氧化硅薄膜；

在所述硅衬底靠近P区的一侧镀背面钝化膜；

在所述硅衬底靠近所述氧化硅薄膜一侧制备透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上采用不含玻璃粉的正面栅线浆料制备正面电极前体；

在所述硅衬底靠近所述正面电极前体一侧制备正面钝化膜；

在所述硅衬底靠近所述正面钝化膜的一侧采用正面焊盘浆料制备正面焊盘前体，所述正面焊盘前体设置于所述正面电极前体的预设位置上；

对所述硅衬底进行烧结，使所述正面电极前体形成正面电极，所述正面焊盘前体形成正面焊盘。

可选地，所述在所述透明导电薄膜上采用不含玻璃粉的正面栅线浆料制备正面电极前体，包括：

在所述透明导电薄膜上采用不含玻璃粉的正面栅线浆料印刷栅线并烘干。

可选地，所述在所述硅衬底靠近所述正面钝化膜的一侧采用正面焊盘浆料制备正面焊盘前体，包括：

在所述硅衬底的所述预设位置处印刷所述正面焊盘浆料并烘干，制备所述正面焊盘前体，所述正面焊盘浆料包含玻璃粉，所述玻璃粉用于腐蚀正面钝化膜；或，

在所述硅衬底的所述预设位置处采用激光开孔，再在所述激光开孔的开孔处印刷所述正面焊盘浆料并烘干，所述正面焊盘浆料不含玻璃粉。

可选地，所述提供具有PN结的硅衬底，包括：

提供单晶硅片；

通过制绒工艺对所述单晶硅片进行表面处理；