[发明专利]一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供具有PN结的硅衬底；

对所述硅衬底进行退火，在所述硅衬底靠近N区的一侧形成氧化硅薄膜；

在所述硅衬底靠近P区的一侧镀背面钝化膜；

在所述硅衬底靠近所述氧化硅薄膜一侧制备透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上采用不含玻璃粉的正面栅线浆料制备正面电极前体；

在所述硅衬底靠近所述正面电极前体一侧制备正面钝化膜；

在所述硅衬底靠近所述正面钝化膜的一侧采用正面焊盘浆料制备正面焊盘前体，所述正面焊盘前体设置于所述正面电极前体的预设位置上；

对所述硅衬底进行烧结，使所述正面电极前体形成正面电极，所述正面焊盘前体形成正面焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述透明导电薄膜上采用不含玻璃粉的正面栅线浆料制备正面电极前体，包括：

在所述透明导电薄膜上采用不含玻璃粉的正面栅线浆料印刷栅线并烘干。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅衬底靠近所述正面钝化膜的一侧采用正面焊盘浆料制备正面焊盘前体，包括：

在所述硅衬底的所述预设位置处印刷所述正面焊盘浆料并烘干，制备所述正面焊盘前体，所述正面焊盘浆料包含玻璃粉，所述玻璃粉用于腐蚀正面钝化膜；或，

在所述硅衬底的所述预设位置处采用激光开孔，再在所述激光开孔的开孔处印刷所述正面焊盘浆料并烘干，所述正面焊盘浆料不含玻璃粉。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供具有PN结的硅衬底，包括：

提供单晶硅片；

通过制绒工艺对所述单晶硅片进行表面处理；

对表面处理后的所述单晶硅片进行磷扩散；

通过刻蚀工艺去除磷扩散后所述单晶硅片正面的磷硅玻璃层，以及背面的磷掺杂层，以提供具有PN结的硅衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明导电薄膜的厚度为1nm～5nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明导电薄膜包括碳膜、锡掺杂三氧化铟膜、铝掺杂氧化锌膜中的任一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述正面钝化膜为氮化硅膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为70nm～80nm。

9.一种太阳能电池，包括权利要求1-8任一项所述方法制备的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的硅衬底与所述正面电极之间包括透明导电薄膜。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电薄膜位于所述氧化硅薄膜与所述正面钝化膜之间；

所述正面焊盘穿过所述正面钝化膜，且与所述正面电极接触；

所述透明导电薄膜包括碳膜、锡掺杂三氧化铟膜、铝掺杂氧化锌膜中的任一种。