[发明专利]一种低串扰大容量少模光纤

权利要求书

1.一种低串扰大容量少模光纤，其特征在于：包括光纤包层，所述光纤包层内设置有少模单元，所述少模单元从内到外依次为少模纤芯、内包层和沟槽，所述少模纤芯内设置有高折射率环；所述少模单元包括第一少模子单元、第二少模子单元和第三少模子单元，所述第一少模子单元、所述第二少模子单元和所述第三少模子单元间隔排布；

所述第一少模子单元包括第一少模纤芯，所述第二少模子单元包括第二少模纤芯，所述第三少模子单元包括第三少模纤芯，所述第一少模纤芯、所述第二少模纤芯和所述第三少模纤芯半径与折射率均不相同；所述光纤包层折射率为n₀，所述内包层折射率为n₀，所述沟槽折射率为n₃，所述第一少模纤芯折射率为n₁所述第二少模纤芯折射率为n₄所述第三少模纤芯折射率为n₆；

所述第一少模子单元包括高折射率环一，所述第二少模子单元包括高折射率环二，所述第三少模子单元包括高折射率环三，所述高折射率环一折射率为n₂，所述高折射率环二折射率为n₅，所述高折射率环三折射率为n₇；(n₁-n₀)/n₁保持在0.92%以内，(n₂-n₁)/n₂保持在0.25%以内，(n₀-n₃)/n₀控制在0.7%以内；(n₄-n₀)/n₄保持在0.96%以内，(n₅-n₄)/n₅保持在0.25%以内，(n₀-n₃)/n₀控制在0.7%以内；(n₆-n₀)/n₆保持在0.88%以内，(n₇-n₆)/n₇保持在0.25%以内，(n₀-n₃)/n₀控制在0.7%以内；所述少模光纤为异质十三芯少模光纤；一个所述第一少模子单元设置于所述少模光纤中心，3个所述第二少模子单元与3个所述第三少模子单元间隔排布围绕在所述少模光纤中心周围，所述第二少模子单元与所述第三少模子单元几何中心的连线构成以芯间距为边长的第一层正六边形，6个所述第一少模子单元位于所述正六边形的3条对边过中点的连线上，且距离所述少模光纤中心为倍芯间距。

2.如权利要求1所述的低串扰大容量少模光纤，其特征在于：所述光纤包层采用二氧化硅材料，所述内包层采用二氧化硅材料，所述沟槽采用掺杂氟的二氧化硅材料，所述少模纤芯采用掺杂二氧化锗的二氧化硅材料，所述高折射率环采用掺杂高浓度二氧化锗的二氧化硅材料。

3.如权利要求1所述的低串扰大容量少模光纤，其特征在于：所述第一少模纤芯、所述第二少模纤芯和所述第三少模纤芯均可传输LP₀₁，LP₁₁，LP₂₁与LP₀₂模式。

4.如权利要求2所述的低串扰大容量少模光纤，其特征在于：所述少模单元的折射率采用阶跃式分布设计。

5.如权利要求4所述的低串扰大容量少模光纤，其特征在于：所述n₁大于所述n₀，所述n₂大于所述n₁，所述n₃小于所述n₀，所述n₄大于所述n₀，所述n₅大于所述n₄，所述n₆大于所述n₀，所述n₇大于所述n₆。