[发明专利]双向高压瞬态电压抑制器的结构及其制作方法

权利要求书

1.一种双向高压瞬态电压抑制器的结构，其特征在于，包括：

重掺杂第一导电类型衬底，在所述重掺杂第一导电类型衬底上生长有一层第二导电类型外延层，与重掺杂第一导电类型衬底形成PN结；在所述一层第二导电类型外延层顶部通过离子注入方式形成有第二导电类型中间埋层；在第二导电类型中间埋层上生长有另一层第二导电类型外延层；在所述另一层第二导电类型外延层顶部通过离子注入方式形成有重掺杂第一导电类型区，与所述另一层第二导电类型外延层形成PN结；

在芯片有源区外围设置至少一圈隔离槽，隔离槽自重掺杂第一导电类型区向下延伸至进入重掺杂第一导电类型衬底；在重掺杂第一导电类型区上设有介质层；介质层上形成有接触孔，金属层填充接触孔并与重掺杂第一导电类型区接触；介质层和金属层表面覆盖有钝化层；在钝化层中形成用于连接金属层的空腔。

2.如权利要求1所述的双向高压瞬态电压抑制器的结构，其特征在于，

所述重掺杂第一导电类型衬底的电阻率范围为：0.001～0.01ohm.cm。

3.如权利要求1所述的双向高压瞬态电压抑制器的结构，其特征在于，

所述一层第二导电类型外延层的电阻率范围为：0.01～1000ohm.cm；厚度为5～30微米。

4.如权利要求1所述的双向高压瞬态电压抑制器的结构，其特征在于，

所述另一层第二导电类型外延层的电阻率范围为：0.01～1000ohm.cm；厚度为5～30微米。

5.一种双向高压瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，提供重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长一层第二导电类型外延层，与重掺杂第一导电类型衬底形成PN结；

步骤S2，在所述一层第二导电类型外延层顶部通过离子注入方式形成第二导电类型中间埋层；

步骤S3，在第二导电类型中间埋层上生长另一层第二导电类型外延层；

步骤S4，在所述另一层第二导电类型外延层顶部通过离子注入方式形成重掺杂第一导电类型区，与所述另一层第二导电类型外延层形成PN结；

步骤S5，在芯片有源区外围设置至少一圈隔离槽，并在隔离槽内填充绝缘材料；

步骤S6，在重掺杂第一导电类型区上沉积介质层；

步骤S7，刻蚀介质层形成接触孔，生长金属层，金属层填充接触孔并与重掺杂第一导电类型区接触；刻蚀金属层多余的外圈金属，然后沉积钝化层；在钝化层中刻蚀形成用于连接金属层的空腔；以便后续封装时通过打线连接金属层。

6.如权利要求5所述的双向高压瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，

所述重掺杂第一导电类型衬底的电阻率范围为：0.001～0.01ohm.cm。

7.如权利要求5所述的双向高压瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，

所述一层第二导电类型外延层的电阻率范围为：0.01～1000ohm.cm；厚度为5～30微米。

8.如权利要求5所述的双向高压瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，

步骤S2中，离子注入的剂量为1.0E14/cm²-2.0E16/cm²。

9.如权利要求5所述的双向高压瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，

所述另一层第二导电类型外延层的电阻率范围为：0.01～1000ohm.cm；厚度为5～30微米。

10.如权利要求5所述的双向高压瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，

步骤S4中，离子注入的剂量为1.0E14/cm²-2.0E16/cm²。