[发明专利]一种同步整流控制电路、控制方法和反激式开关电源有效

专利信息
申请号: 202110960642.6 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN113708638B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 傅钰泰;文鹏 申请(专利权)人: 深圳市必易微电子股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/00
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 向庆宁
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 同步 整流 控制电路 控制 方法 反激式 开关电源
【说明书】:

发明公开一种同步整流控制电路,包括LEB自适应控制模块,所述LEB自适应控制模块包括彼此耦接的续流时间检测模块、误关断检测模块和LEB时间调节模块;所述续流时间检测模块用于检测获得副边电流续流时间,并将所述副边电流续流时间发送给所述LEB时间调节模块和所述误关断检测模块;所述误关断检测模块用于检测获得最终误关断信号,并将所述最终误关断信号发送给所述LEB时间调节模块;所述LEB时间调节模块根据所述副边电流续流时间和所述最终误关断信号而计算得出下一周期的LEB最终预判值。本发明还公开一种同步整流控制方法和反激式开关电源。本发明可以自适应调节同步整流管的最小导通时间,从而最大程度适应系统需要。

技术领域

本发明涉及电子信息领域,尤其涉及一种同步整流控制电路、控制方法和反激式开关电源。

背景技术

同步整流技术(Synchronous Rectification,简称SR)是一项用整流MOSFET管取代整流二极管从而降低整流损耗的技术。目前,这项技术在工业电源、消费类电子等领域都已经都到广泛的应用。如附图1、2所示,附图1为采用整流二极管做副边整流的Flyback架构,附图2为采用同步整流技术做副边整流的Flyback架构。采用通态电阻极低的同步整流管(MOSFET管)来替换整流二极管,可降低整流损耗。

在同步整流技术中,对同步整流管的控制常采用电压控制,实时检测同步整流管的漏源电压VDS,通过和预先设定的开通阈值Vth_on、关断阈值Vth_off比较,从而来开启、关断同步整流管,基本原理如附图3所示。

具体如附图3所示,当检测到漏源电压VDS小于开通阈值Vth_on时,认为同步整流管的体二极管已经导通,则此时可以控制同步整流管开通。当检测到漏源电压VDS大于关断阈值Vth_off时,认为副边电路续流结束,此时控制器控制同步整流管关断。然而由于变压器漏感等寄生参数的影响,续流初期的副边电路续流电流ISD存在振荡,同步整流管的漏源电压VDS上也存在振荡,而漏源电压VDS在振荡严重时可能会出现向上穿过关断阈值Vth_off的情况,这可能会导致控制器发生误判断而将同步整流管关断,一旦同步整流管误关断,则会造成损耗增大,发热加剧,从而影响系统性能和可靠性。为了避免同步整流管提前关断,现有技术中通常在同步整流导通之后设置固定的最小导通时间LEB,用来屏蔽副边电路续流初期漏源电压VDS正向过零振荡。在行业内,一般最小导通时间LEB的设定为固定值,但也有采用IC Pin脚和外置电阻来调节最小导通时间LEB的做法,通过外置电阻将最小导通时间LEB配置在一定范围内来适应不同的应用系统。

在现有技术中,最小导通时间LEB采用固定阈值的方式虽然简单但适用性一般,对系统设计要求较高,一旦设计参数有改动则可能出现误关断的情况。采用外置元器件配置的方式灵活性更好,可以使应用面更广,但额外占用IC的Pin脚。

发明内容

本发明针对现有技术中的不足,提供一种同步整流控制电路和控制方法。

为了解决上述技术问题,本发明通过下述技术方案得以解决:

本发明公开一种同步整流控制电路,能够调节同步整流管的最小导通时间,包括LEB自适应控制模块,所述LEB自适应控制模块包括

续流时间检测模块,用于检测获得副边电流续流时间,并将所述副边电流续流时间分别发送给所述LEB时间调节模块和所述误关断检测模块;

误关断检测模块,用于检测获得最终误关断信号,并将所述最终误关断信号发送给所述LEB时间调节模块;

LEB时间调节模块,用于根据所述副边电流续流时间和所述最终误关断信号而计算得出下一周期的LEB最终预判值;

所述续流时间检测模块的输出端分别耦接所述误关断检测模块的输入端和所述LEB时间调节模块的输入端,所述误关断检测模块的输出端与所述LEB时间调节模块的输入端耦接。

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